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电子电镀添加剂的分子设计

贺岩峰 , 张莹莹 , 高学朋 , 陈春 , 孙红旗

电镀与涂饰

提出了电镀添加剂设计的概念,给出了锡基电子电镀添加剂设计的基本方法.由于电镀添加剂作用的复杂性,要得到性能优异的添加剂,必须从分子水平上对添加剂进行设计,而添加剂在镀层中的夹杂是通过化学夹杂和物理夹杂引起,从分子水平上设计的低吸附型镀锡添加剂可以减少有机分子的夹杂.

关键词: 电子电镀 , 镀锡 , 添加剂 , 分子设计

锡须生长机理的研究进展

王先锋 , 贺岩峰

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2005.08.015

介绍了电子集成电路封装行业中常见的锡须的形状及长度.对锡须的生长机理--压应力(产生于机械操作和扩散)模型进行了总结.通过对影响锡须的生长因素的研究进展进行综述,得出如下结论:金属间化合物的形成及其与基体的相互作用促进了锡须的生长;由于在平滑的锡晶粒结构中更容易发生扩散,故增加了锡须的生长几率;镀锡层的厚度越小,形成锡须的可能性越大;在重结晶温度下,锡须更容易发生等.

关键词: 电子集成电路 , 封装 , 锡须 , 机理

抑制锡须的方法

王先锋 , 贺岩峰

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.06.010

无铅封装工艺是IC制造商为了顺应电子产品无铅化趋势而发展起来的,但存在晶须生成的潜在威胁.因此,锡须的抑制方法成为研究的关键.对电子集成电路封装行业中常见的9种抑制锡须的方法--避免局部镀纯锡,选择亚光或低应力镀锡,选择适宜的镀层厚度,选择适宜的阻挡层,纯锡镀层表面回流处理,退火处理,避免在纯锡镀层表面进行压负载操作,采用有机涂层或其它金属涂层,采用适宜的电镀添加剂等进行了总结,为IC业无铅电镀提供参考依据.

关键词: IC , 无铅封装 , 锡须 , 抑制方法

无铅纯锡电镀晶须产生的原因和控制对策

贺岩峰 , 孙江燕 , 赵会然 , 张丹

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2005.03.014

开发无铅化纯锡电镀技术必须首先解决锡须问题.讨论了锡须形成的影响因素及机理.开发出一种能有效防止锡须生成的无铅纯锡电镀添加剂,该添加剂具有结晶细致、可焊性好、消耗量低、使用维护容易等优点,从而建立了一种抑制锡须的有效方法, 同时解决了纯锡电镀中的其它难题.介绍了控制锡须的其它一些有效措施及锡须生长加速试验.

关键词: 无铅纯锡电镀 , 锡须 , 添加剂

低温低磷化学镀镍

刘鹤 , 马立国 , 王鹤坤 , 贺岩峰

电镀与涂饰

研究了温度、pH、次磷酸钠、柠檬酸和辅助配位剂对化学镀镍沉积速率和镀层磷含量的影响,确定了一种低温(40℃)、低磷(w=4.15%)的碱性化学镀液配方:硫酸镍25 g/L,次磷酸钠8.0 g/L,柠檬酸30 g/L,辅助配位剂(一种含铵的化合物)15 g/L,pH 9.0.

关键词: 化学镀镍 , 碱性 , 低温 , 低磷 , 沉积速率

芳香羧酸对锡电沉积的影响

鲁浩 , 伏广好 , 孙德 , 贺岩峰

电镀与涂饰

通过测定循环伏安曲线、锡镀层的表面形貌和X射线衍射谱图,研究了苯甲酸、苯乙酸、苯丙酸、苯丁酸等几种芳香羧酸对锡电沉积的影响.结果表明,芳香羧酸对锡还原的阴极过程有抑制作用.随芳香羧酸碳链长度的增大,该抑制作用增强.烷基糖苷与芳香羧酸之间具有协同作用,烷基糖苷使芳香羧酸对Sn2+向阴极扩散和锡电沉积阴极过程的抑制作用增强.镀液中同时加入烷基糖苷和芳香羧酸时,所得镀层表面平整,结晶细致、均匀.

关键词: , 电沉积 , 芳香羧酸 , 烷基糖苷 , 超分子自组装

引脚可焊性镀层无铅纯锡高速电镀添加剂的开发

贺岩峰 , 孙江燕 , 赵会然 , 张丹

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2005.12.003

介绍了引脚可焊性镀层高速电镀工艺流程、高速电镀添加剂各组分的作用及其选择要求.通过Hull槽实验、10 L电镀实验和高速模拟实验确定了甲基磺酸、二价锡离子、温度、电流密度和自制的添加剂--可焊性镀层锡铅高速电镀添加剂SYT845和无铅纯锡高速电镀添加剂SYT843H等各工艺条件对高速电镀过程的影响.可焊性实验和扫描电镜照片表明,采用SYT845型和SYT843H型添加剂所得的高速电镀镀层具有良好的可焊性,且结晶规整、细致,晶粒尺寸为1~3 μm;SYT843H无铅纯锡高速电镀样品经TCT试验1 000个循环(-60~150 ℃)后在500倍的SEM 照片中没有发现锡须.该自制的添加剂应用于生产中已有2年.

关键词: 高速电镀 , 引脚可焊性镀层 , 添加剂 , 锡铅合金 , 无铅纯锡

pH对锡-银-铜三元合金共沉积的影响

张莹莹 , 石秀敏 , 高学朋 , 贺岩峰

电镀与涂饰

以HEDTA(N-β-羟乙基乙二胺三乙酸)为主配位剂,通过极化曲线测量、电感耦合等离子体发射光谱、表面形貌分析和X射线衍射谱分析等研究了pH对Sn-Ag-Cu三元合金共沉积的影响.镀液组成及工艺参数为:Sn(CH3SO3)2 110 g/L,Ag2O0.081 1 g/L,Cu(CH3SO3)2 0.876 g/L,HEDTA 278.3 g/L,硫脲4.6 g/L,烷基糖苷1g/L,温度25℃,电流密度10 mA/cm2.结果表明,随pH增大,Sn-Ag-Cu的沉积电位负移.pH为3.22~7.74时,Sn-Ag-Cu合金镀层结晶细致、表面平整.Sn-Ag-Cu合金镀层由Sn、Ag3Sn和Cu6Sn5组成,其结晶取向随pH改变而变.HEDTA体系电沉积Sn-Ag-Cu合金镀层的适宜pH为3.00 ~ 6.00,最优范围是5.00 ~ 6.00.

关键词: 锡-银-铜合金 , 电沉积 , pH , N-β-羟乙基乙二胺三乙酸

无铅无镉光亮化学镀Ni-P合金

薛雷刚 , 印仁和 , 贺岩峰 , 孙江燕 , 赵会然 , 郁祖湛

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2007.02.008

研发了一种无铅无镉的化学镀镍新工艺,以两种新型稳定剂复合使用替代铅和镉,确定稳定剂SY-2的最佳用量为4 mg/L镀液在6周期仍保持清澈透明,具有良好的稳定性;镀速在0~6周期之间为27~21 μm/h,镀层磷质量分数为5.6%~9.0%,所得镀层光亮、硬度高、孔隙率低,具有良好的结合力和耐腐蚀性.该工艺镀液稳定性和镀层性能在一定程度上已超过了有铅有镉工艺,完全可以作为含铅、镉化学镀镍的替代品.

关键词: 无铅无镉 , 化学镀Ni-P , 新型稳定剂

添加剂对锡-银-铜共沉积的影响

伏广好 , 鲁浩 , 尹丽 , 贺岩峰

电镀与涂饰

通过测定循环伏安曲线、镀层表面形貌和X射线衍射谱图,研究了单一的烷基糖苷(APG)或APG+槲皮素的组合添加剂对Sn-Ag-Cu三元合金共沉积的影响.镀液的基础组成和工艺条件为:Sn(CH3SO3)2 0.18 mol/L,Ag2O 0.006 mol/L,Cu(CH3SO3)2 0.001 2 mol/L,硫脲0.06 mol/L,羧乙基乙二胺三乙酸(HEDTA) 1.0 mol/L,pH 5.0,温度25℃,电流密度6.6 mA/cm2,时间30 min.结果表明,镀液中APG或APG+槲皮素的存在使锡离子的扩散系数减小,Sn-Ag-Cu三元合金的共沉积过程受阻.镀液中加入1.00 g/L APG或1.00 g/L APG+ 0.05 g/L槲皮素后,Sn-Ag-Cu镀层外观改善,镀层结晶细致、均匀,晶面择优取向由Sn(211)转变为Sn (200).因此,APG或APG与少量槲皮素的组合适合用作Sn-Ag-Cu共沉积的添加剂.

关键词: 锡-银-铜合金 , 共沉积 , 添加剂 , 烷基糖苷 , 槲皮素

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