张云怀
,
肖鹏
,
白玉峰
,
贺健
,
乔雷
材料导报
采用混酸和二甲亚砜对碳纳米管进行官能化修饰,实验发现经化学修饰后对多壁碳纳米管膜的电学性质有明显影响.经化学修饰后的碳纳米管膜电阻由结电阻和管电阻组成,未经化学修饰的碳纳米管膜电阻主要由碳纳米管管电阻决定.碳纳米管经化学修饰后,碳纳米管结增多,碳纳米管管电阻降低而碳纳米管结电阻增大.未经修饰的碳纳米管膜电阻随着温度的升高而略有增大,呈金属性;经混酸修饰的碳纳米管膜电阻随着温度的升高而减小,呈半导体性.
关键词:
碳纳米管
,
化学修饰
,
电阻
王敏
,
王里奥
,
贺健
,
张东
,
张文杰
材料科学与工艺
为进一步提高钒酸铁(FeVO4)光催化活性,采用液相沉淀法分别制备钒酸铁和钒酸铜前躯体,再将钒酸铁和钒酸铜前驱体混合后进行热处理,制备了铜掺杂钒酸铁光催化剂,并采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、表面积(BET)和X射线光电子能谱分析(XPS)对样品进行表征和分析.在可见光照射下,通过光催化降解甲基橙溶液评价Cu掺杂对FeVO4光催化剂活的影响.结果表明,Cu/FevO4光催化剂为三斜型,当掺杂质量分数大于5%时,晶体中出现新相Cu3Fe4(VO4)6;掺杂后样品的表面形貌产生了变化,但其比表面积变化较小;Cu/FeVO4样品的光催化活性大幅提高,主要是由于FeVO4和新相闻起到类似复合半导体的作用;在所进行实验的条件下,钒酸铜的最佳掺杂质量分数为5%时,掺杂后的FeVO4对甲基橙溶液的脱色率较未掺杂前提高30%左右.
关键词:
钒酸铁
,
铜掺杂
,
光催化剂
,
甲基橙
