张玮
,
谭劲
,
鄢维
,
雷婷
,
孟小康
,
孙夏微
,
李聪明
材料导报
金刚石作为自然界中热导性最好的材料,在半导体行业的应用越来越广泛.随着LED行业的不断发展,金刚石芯LED也崭露头角.综述了自20世纪50年代以来,金刚石材料作为衬底和外延材料在半导体光电子领域的研究进展.主要从两个方面展开论述:金刚石作为衬底外延GaN的研究进展；以及金刚石本身作为外延材料制备成p-n结、p-i-n结、异质结等半导体器件的研究进展.这些研究充分体现了金刚石材料应用在LED产品中的可行性和优越性,以及应用在大功率LED芯片中的巨大潜力.
关键词:
金刚石
,
发光二极管
,
衬底
,
外延材料
池召坤
,
谭劲
,
包鲁明
,
艾飞
,
黄焱球
,
何谋春
,
李飞
人工晶体学报
在不同过冷度条件下,硅酸盐熔体结晶得到了透辉石晶体含量合适的样品.实验结果表明透辉石晶体形貌的自形程度随过冷度增加而降低.拉曼光谱分析显示晶体的特征谱峰半高宽随过冷度增加而变宽,拉曼光谱还显示出晶体结构继承玻璃结构的特征.运用电子探针详细分析了透辉石晶体及其生长界面附近成分变化的特点,发现存在约几到十几微米厚的过渡层,并且透辉石晶体成分随过冷度增大Al元素进入到晶体的含量也增加,同时Al元素与Mg元素在结晶过程中的协同作用较强.
关键词:
透辉石
,
结晶
,
过冷度
,
过渡层
,
晶体成分
陈圣昌
,
谭劲
,
钟爱华
,
孟小康
,
雷婷
,
张玮
功能材料
采用高温固相法合成了Sr2Al2SiO7∶Re（Re=Eu2＋,Ce3＋）荧光粉,研究了Eu2＋和Ce3＋在该基质中的发光特性,以及Eu2＋、Ce3＋共掺时的能量传递现象。研究表明Sr2Al2SiO7∶Eu2＋激发光谱呈宽带激发,最大发射峰位于513nm,Eu2＋最佳掺杂浓度为5%（摩尔分数）。Sr2Al2SiO7∶Ce3＋有两个激发峰,分别位于300和337nm,发射峰位于406nm,当Ce3＋浓度达到2%（摩尔分数）时发射强度最大。Eu2＋和Ce3＋在该体系共掺时存在Ce3＋到Eu2＋的有效能量传递,有利于提高体系的发光效率。
关键词:
硅酸盐
,
发光
,
荧光粉
,
能量传递
杨福华
,
谭劲
,
周成冈
,
凌芝
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.03.011
采用从头计算(ab initio)的方法对比研究了Si1-xGex合金半导体材料中W缺陷、CiCs缺陷和CiOi缺陷的性质.在S1-xGex合金中,Ge原子不能与缺陷核心的C原子和O原子直接成键,但可能与W缺陷核心的间隙Si原子相连.在含CiOi缺陷的晶胞中,Ge原子倾向于取代沿[110]伸长方向的Si原子.随着合金中Ge含量的升高,W缺陷的形成能不断增加,结构稳定性逐渐降低.与w缺陷不同的是,CiCs缺陷和CiOi缺陷在不同Ge含量的Si1-xGex合金中形成能变化较小,变化幅度在0.15 eV以内,理论研究结果与前人的实验结果相吻合.
关键词:
Si1-xGex
,
合金
,
从头计算法
,
W缺陷
,
碳相关缺陷
李聪明
,
谭劲
,
郑水林
,
马米
,
孙夏微
人工晶体学报
采用高温固相法分别以H3BO3和Na2B4O7作为助熔剂合成了Ce离子掺杂的Y3Al5O12(YAG∶ Ce)黄色荧光材料.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光分光光度计(PL)对合成出的YAG∶ Ce样品进行了表征,在此基础上研究了H3BO3和Na2B4O7助熔剂浓度对YAG∶ Ce的晶相、微观形貌及光学性能的影响.结果表明,随着H3BO3的增加,发光强度先增大后降低,并且当H3BO3用量为1.5wt％时,发光强度达到最大,同时颗粒分散性最好;然而当增加Na2B4O7用量时,发光强度先增强再降低,晶体发育程度及颗粒分散性先改善再恶化,当用量为6.0wt％时,发光强度最大,颗粒分散性最优.此外,含硼助熔剂由于B离子的引入,有效地提高了YAG晶体对发光中心Ce离子的容纳量.H3BO3和Na2B4O7使Ce离子猝灭浓度分别提高到了0.15和0.10.
关键词:
YAG∶Ce
,
荧光粉
,
助熔剂
,
H3BO3
,
Na2B4O7
赵珊茸
,
王继扬
,
谭劲
,
杨泰铭
,
刘惠芳
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.03.016
本文研究了无光釉中LiAlSiO4-SiO2固溶体的枝晶形貌、物相、成分、形成温度及其关系.六枝雪花状枝晶为六方晶系的β-石英固溶体,十字状枝晶为四方晶系的凯石英固溶体,即枝晶形貌反映了晶体结构的对称.枝晶的成分与基质玻璃的成分分异与形成温度和机制有关.枝晶形成时存在两种机制,其生长基元分别为原子(分子)生长或晶核切变生长.枝晶分枝程度和形成机制除与过冷度有关外,还与枝晶对称性有关.四方凯石英枝晶多以原子(分子)生长,其分枝少;六方β-石英枝晶多以晶核切变机制生长,其分枝多.
关键词:
LiAlSiO4-SiO2系
,
枝晶
,
晶化动力学
公衍生
,
周炜
,
梁玉军
,
谭劲
稀有金属材料与工程
采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了高导电的IrO2薄膜,重点研究了退火前后其电学性能和微观结构的变化规律.采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光电子能谱(XPS)和四探针法对退火前后IrO2薄膜的结构和电性能进行了表征,并利用霍尔效应研究了IrO2薄膜的导电机理.结果表明:IrO2薄膜在空气中退火后,导电性能得到提高,其中在750℃退火的电阻率达到最小值37μΩ·cm.在25～500℃范围内,IrO2薄膜的高温电阻率随着温度的升高呈线性关系逐渐增大,呈现出类似金属的导电特征.在250～400℃沉积的IrO2薄膜载流子的类型为p型；沉积温度较高(500℃)或在更高温度退火处理后,IrO2薄膜载流子的类型为n型,其导电机理以电子导电为主.
关键词:
氧化铱薄膜
,
电性能
,
导电机理
,
霍尔效应
钟爱华
,
谭劲
,
陈圣昌
,
包鲁明
,
艾飞
,
李飞
功能材料
采用超声喷雾热解法在不同衬底温度条件下沉积了N-Al共掺杂ZnO薄膜,衬底为普通硅酸盐玻璃.利用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光光谱仪表征了样品的晶体结构、形貌及室温光致发光性能.结果表明,ZnO颗粒尺寸随着衬底温度的升高而逐渐增大;低温下沉积的样品发光光谱中缺陷发射光占主导,随着衬底温度的升高这些缺陷发射光强度逐渐减弱,当温度升高到450℃时只有紫外发射光.缺陷发射光强度的减弱意味着薄膜缺陷浓度减小、晶体趋于完整,同时反映出施主型缺陷浓度随衬底温度的升高而逐渐减小,这对减弱ZnO薄膜p型掺杂时Vo或Zni等施主缺陷的自补偿效应很有意义.
关键词:
超声喷雾热解法
,
衬底温度
,
形貌
,
室温光致发光
艾飞
,
谭劲
,
李飞
,
包鲁明
,
钟爱华
,
陈圣昌
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.01.003
以Zn(NO_3)_2·6H_2O和CO(NH_2)_2为原料.采用均匀沉淀法,制备出了.棒状、花状、球状纳米氧化锌(ZnO).将ZnO微球体分散在Na_2S溶液中,通过离子替代法,成功制备了ZnO/ZnS核壳结构.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)等测试手段对ZnO纳米结构和ZnO/ZnS核壳结构的晶体结构和表面形貌进行了表征,初步探讨了纳米ZnO和ZnO/ZnS核壳结构的生长机理.根据测试结果得知,ZnO纳米棒呈现六方纤锌矿结构,随着Zn~(2+)浓度逐渐增加,ZnO纳米结构形貌由单分散的棒状聚集成花状,最后演变成球形.ZnO/ZnS复合结构为内核ZnO,外面包覆一层ZnS的核壳结构.所有的纳米ZnO均具有相似的发光特点,ZnO/ZnS核壳结构的发光性能有了很大的改善.
关键词:
ZnO
,
ZnO/ZnS核壳结构
,
均匀沉淀法
,
纳米结构
,
生长机理
