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非催化剂法制备ZnO纳米线阵列的近带边高分辨变温光致发光性能研究

谢涌 , 介万奇 , 王涛 , 崔岩 , 高俊宁 , 于晖 , 王亚彬

功能材料

采用CVD法在a-面蓝宝石衬底上制备了ZnO籽晶层,然后在籽晶层上用碳热还原法制备了高质量的ZnO纳米线阵列.发现生长后的ZnO纳米线阵列具有良好的近带边发光性能,束缚激子发光峰半峰宽<500 μeV.通过变温PL测试,确定3.37737eV的发光峰为自由激子发光,分别通过Vina模型和Vashni模型对其进行拟合,发现在60K以下Vashni 模型的拟合相当好,而在60~150K,Vina模型的拟合效果更优.3.29eV处的峰为DAP峰,计算可得样品中的施主浓度为1.8×1018cm-3.

关键词: ZnO , 纳米线 , 光致发光 , 自由激子 , 束缚激子 , X射线衍射

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