张立
,
谢洪鲸
,
陈传誉
,
龚映清
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.03.017
在有效质量近似下,考察了一个特殊量子点量子阱体系中的电子与空穴束缚态能级结构,以CdS/HgS和ZnS/CdSe构成的量子点量子阱为例进行了数值计算.结果显示,束缚态的本征能量对量子点量子阱的尺寸依赖曲线存在一些拐点,这一结果与均匀量子点体系明显不同;对某个固定的量子点量子阱结构,随量子数n的增加,CdS/HgS量子点量子阱体系中的束缚电子态的能级间隔不是单调增加的,在某些量子数n处存在峰值,而ZnS/CdSe量子点量子阱体系中的空穴束缚态的能级间隔则是单调增加的,这是由构成量子点量子阱的材料的有效质量比率不同造成的.
关键词:
能级结构
,
量子点量子阱
,
束缚态
张立
,
谢洪鲸
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.06.012
在介电连续近似下,推导和讨论了任意层的耦合量子阱系统中的受限纵光学(LO)声子模与界面光学(IO)声子模.为了描述受限纵光学声子的振动,采用了一个正确的LO声子势函数,同时,为了处理系统中的界面光学声子,采用了行列式解线性方程组的方法,得到了量子化的LO与IO声子场以及它们的电-声子相互作用哈密顿.本项工作可以看作是对以前一些工作的普遍化,它提供了一种解决声子效应对多层耦合量子阱系统影响问题的统一方法.
关键词:
极化光学声子
,
耦合量子阱
,
电-声子相互作用
