叶甜春
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谢常青
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李兵
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陈大鹏
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陈朝晖
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赵玲莉
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胥兴才
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刘训春
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张绵
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赵静
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.013
对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管.研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量,在混合光刻工艺中,抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键.
关键词:
X射线光刻
,
PHEMT
,
T型栅
