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本文结合功能材料Al_2O_3和BCB(苯并环丁烯树脂)的特点,创新性地提出了Si/Al_2O_3/BCB多层薄膜复合结构的衬底,利用Al_2O_3高介电常数的优点和BCB薄膜工艺制备厚度的灵活性实现了低传输损耗.本研究采用与CMOS相兼容的半导体制造工艺在三种不同衬底(Si、Si/BCB和Si/Al_2O_3/BCB)上制作了CPW结构的传输线,通过仿真、测量、比较和分析其传输损耗特性得出Si/Al_2O_3/BCB多层薄膜复合结构衬底有效地降低了普通硅衬底的高频损耗(20GHz时CPW传输线的损耗为1. 18dB/mm),实现了微波毫米波电路低损耗传输线,具有广泛的应用前景.

关键词: Al_2O_3 , BCB , CPW , 传输损耗

非掺半绝缘GaAs单晶的垂直梯度凝固生长

赵福川 , 谈惠祖 , 杜立新 , 莫培根

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.02.011

研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法(VGF)生长技术,解决了Si沾污和C浓度的控制问题,得到了直径2英寸非掺半绝缘低位错单晶.测试表明:该单晶的位错密度较LEC单晶下降近一个数量级,电学参数与LEC单晶类似,接近国外VGF单晶的参数指标.

关键词: 垂直凝固(VGF) , 半绝缘GaAs单晶 , 晶体生长

稀土贮氢合金表面特性的改善

王可 , 吴铸 , 夏保佳 , 倪君 , 谈惠祖

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.022

用 EDTA二钠对 AB5型贮氢合金进行了表面处理 . 结果表明 , 该处理对合金的最大放电容量和大电流放电能力没有明显的影响 , 但是处理后贮氢合金电极的 1C放电电位较未处理合金电极负约 14mV, 而充电电位比未处理合金低约 17mV. 这有利于提高 MH-Ni电池的放电电压和降低充电电压 . ICP-AES分析结果表明 , 处理液中含有合金金属的离子 . XPS实验表明 , 处理后的合金表面有较低的氧含量 .

关键词: EDTA二钠 , 贮氢合金 , 表面特性

垂直梯度凝固法生长半绝缘GaAs单晶的工艺研究

谈惠祖 , 杜立新 , 赵福川

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.017

在国产三温区VGF单晶炉上,研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法生长技术.讨论了引晶、坩埚设计与质量、PBN坩埚的剥落、B2O3的水份控制等因素对单晶生长的影响,基本解决了VGF的工艺问题.通过多炉生长,得到了Φ2″=VGF非掺半绝缘低位错全单晶.

关键词: 垂直梯度凝固(VGF) , 半绝缘GaAs单晶 , 晶体生长

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新型Al_2O_3/BCB多层薄膜复合介质材料的传输线损耗特性

非掺半绝缘GaAs单晶的垂直梯度凝固生长

稀土贮氢合金表面特性的改善

垂直梯度凝固法生长半绝缘GaAs单晶的工艺研究

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