潘若冰
,
胡丽娟
,
曹鸿涛
,
竺立强
,
李俊
,
李康
,
梁凌燕
,
张洪亮
,
高俊华
,
诸葛飞
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.013
本文采用ZnO忆阻器模拟了生物神经突触的记忆和学习功能.ZnO突触器件表现出典型的随时间指数衰减的突触后兴奋电流(EPSC),以及EPSC的双脉冲增强行为.在此基础上,实现了学习-遗忘-再学习的经验式学习行为,以及四种不同种类的电脉冲时刻依赖可塑性学习规则.ZnO突触器件实现了超低能耗操作,单次突触行为能耗最低为1.6pJ,表明其可以用来构筑未来的人工神经网络硬件系统,最终开发出与人脑结构类似的认知型计算机以及类人机器人.
关键词:
忆阻器
,
神经突触器件
,
人工神经网络
,
ZnO
伏兵
,
诸葛飞
,
刘志敏
,
罗浩
,
梁凌燕
,
高俊华
,
曹鸿涛
材料科学与工程学报
本文研究了氩等离子体处理对ZnO薄膜阻变效应的影响,发现等离子体处理可以使薄膜表面平整,并且增加薄膜中的缺陷浓度.以等离子体处理后的ZnO薄膜作为介质层,在Pt/ZnO/Pt三明治结构中观察到无电形成过程的阻变效应.本文研究表明,氩等离子体处理是消除氧化物阻变效应电形成过程的有效手段.
关键词:
阻变
,
ZnO薄膜
,
氩等离子体处理
王发展
,
诸葛飞
,
张晖
,
丁秉钧
稀有金属材料与工程
采用热旋锻工艺制备了纳米复合W-4.5%ThO2阴极材料,为了对其抗烧蚀性能进行研究,在氩弧焊机(GTA)上与商用W-2%ThO2和W-4.5%ThO2电极进行了比较试验.结果表明,这种新型电极的密度接近于全致密,其组织结构与目前工艺生产的商用电极完全不同,粒径小于200 nm的ThO2颗粒弥散分布于钨基体晶粒内.纳米复合W-4.5%ThO2阴极材料的起弧性能是3种测试电极中最好的,抗烧蚀性能得到明显改善,说明电极的性能主要受ThO2含量和粒度的支配.
关键词:
热钨阴极
,
高掺杂
,
纳米复合
,
烧蚀性能
,
旋锻法
