徐万帮
,
汪勇先
,
许荣辉
,
许凤华
,
张国欣
,
梁胜
,
尹端芷
功能材料
实验探讨了采用胶体法合成荧光CdS QDs的一些因素.对样品进行了TEM、XRD、UV-vis等表征.将合成的QDs应用于Cu2+检测,并探讨了作用机理.
关键词:
CdS QDs
,
荧光探针
,
回流
,
离子检测
李海涛
,
张波萍
,
文九巴
,
许荣辉
,
李谦
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00385
采用传统固相烧结工艺, 在1000℃成功制备了致密度较高、微观形貌较好的Li0.05+x(Na0.535K0.48)0.95NbO3 (LxNKN)压电陶瓷. 考察了Li补偿量对LxNKN陶瓷致密度、微观结构、相结构、居里温度及电学性能的影响. 结果发现: 添加过量Li不仅促进陶瓷的烧结, 而且降低陶瓷的烧结温度. XRD图谱分析和相应的晶格常数计算表明, 在x=0.010~0.015范围内出现了四方?正交两相共存的多形态相界(PPT). 由于PPT的出现, 在最佳补偿量x=0.015处, 陶瓷的压电常数d33、机电耦合系数kp、介电常数εr和剩余极化强度Pr分别达到各自的最大值282 pC/N、44%、942和27 μC/cm2. 与化学计量比的LNKN陶瓷相比, LxNKN陶瓷的居里温度随Li补偿量的增加变化很小, 这可能是由于Li主要是起助烧作用而进入主相晶格很少的缘故. 研究工作为低温制备高性能铌酸盐系压电陶瓷提供了一种新的思路.
关键词:
传统固相烧结; 无铅压电陶瓷; 多形态相界; 铌酸盐基
许荣辉
,
汪勇先
,
徐万帮
,
尹端沚
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.020
以醋酸镉、L-半胱氨酸为主要原料,采用水热法制备了尺寸小于10nm、具有强光致荧光的纤锌矿结构CdS半导体纳米晶.水热法可以将晶核形成与晶体生长阶段较好地分开,加之提供的高温熟化条件,可以得到粒度小而均匀、结构良好的纳米晶.用高分辨透射电镜(HRTEM)、XRD对产品的晶体大小、结构进行了详细地表征,分析了影响纳米晶尺寸的因素,用相关性较好的荧光激发与发射光谱研究了硫化镉纳米晶的光致荧光性能.制备的硫化镉(CdS)纳米晶结构良好、粒度均匀、荧光激发专一,最大激发波长在338nm,其发射荧光的波长位于419nm,发射强度大.
关键词:
CdS纳米晶
,
水热法
,
荧光
,
量子点
李新利
,
马战红
,
任凤章
,
许荣辉
,
柳勇
人工晶体学报
采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备了沉积时间系列的微晶硅薄膜.采用椭圆偏振光谱仪(SE)和原子力显微镜(AFM)表征薄膜表面粗糙度,分析了表面粗糙度随沉积时间的演化行为.讨论了这两种测量手段在分析薄膜表面粗糙度时的差异.结果表明,采用SE拟合得到的表面粗糙度数值要大于采用AFM直接测量得到的结果.产生差异的原因,一是由于两种测量手段的测量机制不同;二是由于薄膜的结构不均匀导致薄膜表面形貌差异.另外,还发现这两种测量手段得到的表面粗糙度数值之间存在线性关系.
关键词:
射频等离子体化学气相沉积
,
微晶硅薄膜
,
表面粗糙度
,
演化
李海涛
,
张波萍
,
文九巴
,
许荣辉
,
李谦
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00385
采用传统固相烧结工艺,在1000℃成功制备了致密度较高、微观形貌较好的Li0.05+x(Na0.535K0.48)0.95NbO3(LxNKN)压电陶瓷.考察了Li补偿量对LxNKN陶瓷致密度、微观结构、相结构、居里温度及电学性能的影响.结果发现:添加过量Li不仅促进陶瓷的烧结,而且降低陶瓷的烧结温度.XRD图谱分析和相应的晶格常数计算表明,在x=0.010～0.015范围内出现了四方-正交两相共存的多形态相界(PPT).由于PPT的出现,在最佳补偿量x=0.015处,陶瓷的压电常数d33、机电耦合系数kp、介电常数εr和剩余极化强度Pr分别达到各自的最大值282 pC/N、44％、942和27 μC/cm2.与化学计量比的LNKN陶瓷相比,LxNKN陶瓷的居里温度随Li补偿量的增加变化很小,这可能是由于Li主要是起助烧作用而进入主相晶格很少的缘故.研究工作为低温制备高性能铌酸盐系压电陶瓷提供了一种新的思路.
关键词:
传统固相烧结
,
无铅压电陶瓷
,
多形态相界
,
铌酸盐基
李海涛
,
李谦
,
闫焉服
,
许荣辉
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140359
采用溶胶-凝胶法制备Ca0.25(Li0.43Sm0.57)0.75TiO3(CLST)微波介质陶瓷纳米粉体,研究了ZnO掺杂量和烧结温度对CLST+xmol%ZnO陶瓷烧结性能和微波介电性能的影响。XRD分析结果表明：随着ZnO掺杂量x的增加,陶瓷的晶体结构从正交相变为伪立方相,并在x≥1.5的样品中出现了杂相。CLST+xmol%ZnO陶瓷的致密化烧结温度随x的增加而降低, x=1.0的样品的致密化烧结温度比x=0的降低了200℃。介电常数εr和频率品质因数Qf 随x增加和烧结温度的升高具有最优值,频率温度系数则单调降低。x=1.0的样品在1100℃烧结时具有优异的综合性能：ρ=4.85 g/cm3,εr=102.8, Qf=5424 GHz,τf=-8.2×10-6/℃。表明ZnO掺杂的CLST陶瓷是一种很有发展潜力的微波介质陶瓷。
关键词:
溶胶-凝胶
,
CLST
,
微波介质陶瓷
,
致密化烧结
