廖国
,
王冰
,
张玲
,
牛忠彩
,
张志娇
,
何智兵
,
杨晓峰
,
李俊
,
许华
,
陈太红
,
曾体贤
,
谌家军
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.06.024
采用直流磁控溅射沉积技术在不同工作气压下制备Mo膜,研究了工作气压对Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构的影响规律,研究表明:工作气压在0.1～0.5 Pa范围内,沉积速率基本保持不变,在0.5～1.5 Pa范围内沉积速率随工作气压的升高而增大；Mo膜的表面粗糙度随工作气压的升高而增加；不同工作气压下制备的Mo膜为立方结构,在较低工作气压下薄膜结晶性能较好.
关键词:
直流磁控溅射
,
Mo薄膜
,
工作气压
,
沉积速率
,
表面形貌
张占文
,
吴卫东
,
魏胜
,
王朝阳
,
黄勇
,
许华
,
赵鹏骥
材料导报
C60掺杂研究是C60研究领域的一个重要组成部分。C60掺杂化合物从制备方法上分主要有内掺杂和外掺杂两种。从掺杂原子类型分主要有碱金属掺杂、碱土金属掺杂和其它原子掺杂。掺杂种类不同，所得到的结构和性质也不同。C60掺杂化合物最吸引人的性质是其超导电性。在简单介绍C60结构性质的基础上，对C60掺杂化合物的掺杂种类、制备、结构和性质进行综述。
关键词:
C60
,
掺杂
,
薄膜
廖国
,
何智兵
,
杨晓峰
,
陈太红
,
许华
,
李俊
,
谌加军
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.04.011
采用直流磁控溅射方法在不同工作气压下制备了Bi薄膜,对薄膜的晶体结构、沉积速率、表面形貌和生长模式进行了研究,并对其晶粒尺寸的变化规律进行了分析.X射线衍射(XRD)结果表明Bi薄膜均为多晶斜六方结构.研究发现沉积速率随工作气压的升高先增大后减小.扫描电镜(SEM)图像显示随着工作气压的升高,小晶粒尺寸增大、大尺寸晶粒逐渐消失,薄膜变得疏松多孔；薄膜经历柱状-节榴状-楔形3种生长方式.
关键词:
直流磁控溅射
,
Bi薄膜
,
工作气压
,
沉积速率
,
表面形貌
何智兵
,
吴卫东
,
唐永建
,
程丙勋
,
许华
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.02.001
在不同氧氩比例气氛下,采用反应直流磁控溅射方法制备了SiO2薄膜.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见光谱(UV-Visible spectrum)等研究了氧氩比例的不同对SiO2薄膜的晶体结构、化学配比、表面形貌和光学性能的影响.结果显示:室温下,不同氧氩比例的SiO2薄膜都为非晶结构;随着氧分量的增加,Si2p与O1s向高结合能方向移动;在氧分量较大的气氛下,SiO2薄膜的化学失配度较小,薄膜均匀,致密,在400-1100nm有良好的光透过性.
关键词:
材料学
,
反应直流磁控溅射
,
SiO2薄膜
,
性能
张继成
,
王占山
,
吴卫东
,
许华
材料导报
介绍了用磁控溅射法制备Au/Gd(金/钆)多层膜的初步实验结果.在摸索出的工艺条件下,采用计算机定时控制膜厚的方法,按照设计的周期结构(设计周期厚度10nm,Au/Gd=5nm/5nm,总周期数为25)制备了界面清晰、表面光滑的多层膜样品.X-Ray衍射仪小角衍射测试的周期厚度为9.95nm,和设计值十分吻合,原子力显微镜(AFM)的检测表明,薄膜的表面粗糙度小于1.7nm.
关键词:
磁控溅射 Au/Gd(金/钆)多层膜 X-Ray衍射仪小角衍射 原子力显微镜(AFM)
张继成
,
吴卫东
,
许华
,
唐晓红
材料导报
主要简介了磁控溅射技术的基本原理、基本装置、近年来出现的新技术(多靶磁控溅射技术、磁场扫描法、非平衡磁控溅射、脉冲磁控溅射技术、磁控溅射技术与其它成膜技术相结合等),以及国内外利用磁控溅射技术在多层膜和化合物薄膜制备方面取得的一些成果.
关键词:
磁控溅射
,
磁控溅射新技术
,
薄膜制备
