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杨军 , 邓薰南 , 许六妹
材料研究学报
常温下,用电化学氧化法在单晶硅表面形成SiO_2钝化膜,钝化液可为有机溶液或纯水,控制电压能调节钝化膜厚度。测试并比较了钝化膜的基本性能。
关键词: 单晶硅 , passivation , passive film