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詹琳 , 苏小平 , 张峰翊 , 李金权
人工晶体学报
在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体,很容易在坩埚圆锥面处生长多晶.本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案,把底加热器取消并在坩埚底部加入氦气冷源,底部结构类似于热交换法系统.这样改变热场结构,得到凸向熔体的固液界面.
关键词: 数值模拟 , VGF法 , 固液界面 , GaAs
