王丽华
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郝秋艳
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解新建
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刘红艳
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刘彩池
材料热处理学报
利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓（LECSI-GaAs）单晶中深施主缺陷EL2的影响。结果表明，原生大直径SI—GaAs样品中EL2缺陷浓度沿直径方向的分布呈现中心区域较高、近中心区域最低、边缘区域最高的特点。500℃退火EL2缺陷浓度稳定，真空闭管并快速冷却条件下850℃以上退火时，EL2缺陷浓度随温度升高而下降。并分析了热处理对EL2缺陷的影响机理。
关键词:
半绝缘砷化镓
,
热处理
,
EL2缺陷
,
微区红外测量技术
梁李敏
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解新建
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郝秋艳
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田园
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刘彩池
人工晶体学报
本文对10 MeV电子辐照的GaN进行了不同温度的热退火处理.用光致发光谱和霍尔测量了样品的光电性能随退火温度的变化.实验结果表明:黄光带强度、电子浓度和电子迁移率随退火温度呈非线性变化.在200～600℃退火范围内,黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化是由于辐照Ga空位与O施主杂质的结合和断裂引起的.800℃退火后黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化与电子辐照引入的N空位有关.
关键词:
GaN
,
辐照缺陷
,
黄光带
,
电子浓度
乔治
,
解新建
,
刘辉
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梁李敏
,
郝秋艳
,
刘彩池
人工晶体学报
采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响.结果表明:由于“硼掺杂效应”,随着掺硼比的增大,nc-Si∶H薄膜的晶化率逐渐降低,晶粒尺寸减小,薄膜的择优取向由[111]变为[220];光学带隙逐渐减小,电导率则先升后降;本实验中薄膜的最优掺杂比为0.3％.以优化后的p型nc-Si∶H薄膜做窗口层,SHJ太阳电池的性能得到明显改善,获得了效率为14.1％的电池.
关键词:
RF-PECVD
,
nc-Si∶H薄膜
,
硼掺杂
,
SHJ太阳能电池
苏柳
,
郝秋艳
,
解新建
,
刘彩池
,
刘晓兵
,
硅酸盐通报
准单晶硅结合了铸造多晶硅和直拉单晶硅的特点,既具有成本低,产量高的优势,又具有转化效率高的优点.但目前各企业和科研单位对准单晶硅的研究仍处于实验探索阶段.本文系统阐述了准单晶技术的研究进展,介绍了准单晶的两种铸造方法、与传统单晶硅相比所存在的优势、在国内外的发展状况及存在问题,并对其发展前景做了展望.
关键词:
准单晶
,
铸造工艺
,
晶界
,
缺陷
梁李敏
,
刘彩池
,
解新建
,
王清周
材料导报
概述了GaN异质外延生长中衬底的选择以及缺陷的形成机理,从缓冲层技术、横向外延技术、柔性衬底技术等生长工艺方面综述了国内外GaN基半导体薄膜生长的最新研究和进展,并对其优缺点进行了分析比较,认为发展同质外延将有希望解决现在异质外延生长中存在的问题,最后展望了GaN基薄膜同质外延生长的前景.
关键词:
GaN
,
缺陷
,
异质外延
,
横向外延
,
缓冲层
,
柔性衬底
