阮青锋
,
霍汉德
,
覃西杰
,
卢福华
,
周卫宁
,
张昌龙
,
邱志惠
,
雷威
,
张良钜
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.039
本文报道了水热法KTP晶体的生长工艺及晶体生长形态,系统研究了水热法KTP晶体的宏观缺陷,其宏观缺陷主要为添晶、生长脊线、裂隙和包裹体.提出了晶体生长工艺的改进措施,如提高原材料和试剂的纯度、调整籽晶的悬挂方式、减少籽晶的尺寸等,都可以减少晶体的宏观缺陷,提高晶体的质量.//(011)切向的籽晶生长的晶体质量较高,且能很好地应用于激光器件中.
关键词:
磷酸钛氧钾
,
KTP晶体
,
水热法
,
晶体形态
,
宏观缺陷
