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7085铝合金热压缩变形的流变应力本构方程

沈耀红 , 张志清 , 覃丽禄 , 黄光杰 , 刘庆

材料导报

采用Gleebe-1500热模拟机对7085铝合金进行热压缩,研究了该合金在应变速率为1~38s-1、变形温度为260~440℃条件下的流变应力行为.结果表明,7085铝合金流变应力在变形初期随着应变的增加而增大,出现峰值后逐渐趋于平稳;峰值应力随应变速率的增加而增加,随温度的升高而降低;通过线性回归分析计算出7085材料的应变硬化指数n以及变形激活能Q,获得了7085铝合金高温条件下的流变应力本构方程.

关键词: 7085铝合金 , 热压缩变形 , 流变应力 , 动态再结晶 , 本构方程

工艺参数对磁控溅射TaOx薄膜离子导体性能的影响

黄佳木 , 吕佳 , 张新元 , 覃丽禄

材料导报

采用射频反应磁控溅射工艺,以纯钽为靶材,在WO3/ITO/Glass基材上制备TaOx薄膜,研究氧含量、溅射功率等制备工艺参数对TaOx薄膜性能的影响.用三位电极法和透射光谱等方法检测薄膜的离子导电性能,结果表明:所得的TaOx薄膜主要为非晶态,在一定范围内,在较低的溅射功率和较低的氧含量实验条件下制备的TaOx薄膜具有较好的离子导电性能.

关键词: TaOx , 非晶态薄膜 , 离子导体 , 磁控溅射

磁控溅射制备ZrN_x薄膜离子导体性能研究

黄佳木 , 覃丽禄 , 董思勤

功能材料

采用射频反应磁控溅射工艺,以纯Zr为靶材,在WO3/ITO/Glass基片上采用不同工艺参数沉积ZrN_x薄膜,用紫外-可见分光光度计、循环伏安法、X射线衍射仪、扫描电镜等研究了ZrN_x薄膜的离子导电性能.研究结果表明,所制备的ZrN_x薄膜为非晶态,ZrN_x/WO_3/ITO/Glass复合膜的光学调节范围最大达57%以上,在离子传导过程中表现出良好的离子导电性能.

关键词: 射频反应磁控溅射 , 氮化锆薄膜 , 离子导体

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