郑兴华
,
周小红
,
陈清洁
,
褚夫同
,
汤德平
,
林清平
材料导报
目前,高频头用微波介质陶瓷主要有以下几类:BaTi4O9、Ba2Ti9O20、(Zr,Sn)TiO4、CaTiO3-NdAlO3.详细综述了其研究进展,并对其发展趋势进行了讨论和展望.
关键词:
微波介质陶瓷
,
高频头
,
介电常数
,
Qf
,
谐振频率温度系数
褚夫同
,
郑兴华
,
张国清
,
汤德平
,
张肖峰
材料导报
从晶体结构、反应历程、介电性能等方面综述了MTiO3-LnAlO3(M:Ba,Sr,Ca;Ln:Nd,Sm)中介微波介质陶瓷研究中进展,并结合本课题组的研究情况,归纳了目前该体系微波介质陶瓷研究中存在的问题,并对其今后的研究发展发现进行了展望.
关键词:
微波介质陶瓷
,
钙钛矿结构
,
MTiO3-LnAl3
褚夫同
,
李川
,
汪振中
,
刘兴钊
稀有金属材料与工程
采用中频反应磁控溅射方法,在钼/聚酰亚胺/硅(Mo/PI/Si)基片上室温下制备出c轴取向柱状结晶氮化铝(AlN)薄膜,X射线衍射摇摆曲线和拉曼谱E2(高)峰半高宽分别是2.2°和18.6 cm-1.制作了基于Mo/AlN/Mo/PI/Si结构的薄膜体声波谐振器(FBARs),PI/Mo异质结用作声绝缘层.用矢量网络分析仪分析了FBARs的谐振特性,器件等效耦合系数达到5.4％.
关键词:
AlN
,
薄膜
,
聚酰亚胺
,
FBARs
汪振中
,
褚夫同
,
刘兴钊
功能材料
通过中频磁控反应溅射,在Si(100)衬底上沉积AlN薄膜,并用X射线衍射、扫描电子显微镜和Raman光谱表征AlN薄膜的微观特征.实验中,研究了氮分压、靶基距、溅射功率对AlN薄膜质量的影响,并优化参数制备高质量的c轴取向的AlN薄膜.结果表明,提高溅射功率、降低靶基距以及降低氮分压,有利于c轴择优取向AlN的生长.在优化条件下制备的AlN薄膜具有高度c轴取向,(002)摇摆曲线的半高宽为5.7°,Raman光谱E2(high)声子峰的FWHM为13.8cm-1.
关键词:
AlN
,
中频反应溅射
,
Raman光谱
