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裴艳丽 , 杨德仁
材料导报
综述了硅中氮离子注入的应用和研究进展.主要讨论了氮离子注入形成SOI层的原理、质量的影响因素和电学性能;介绍了氮离子注入在制备超薄氧化栅极及其抑制掺杂杂质原子特别是硼原予扩散等方面的研究和应用.
关键词: 氮离子注入 , 硅 , SOI
祝洪良 , 裴艳丽 , 杨德仁
综述了氮化硅在微电子中的应用、制备,阐述了用氮气直接氮化的影响因素、膜生长的机理和动力学,以及未来的研究方向.
关键词: 氮化硅 , 氮化 , 动力学 , 硅生 , 长机理
