张俊刚
,
夏长泰
,
吴锋
,
裴广庆
,
徐军
,
邓群
,
徐悟生
,
史宏生
功能材料
用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析.解释了禁带部分展宽的原因.并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响.β-Ga2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射.
关键词:
浮区法
,
宽禁带半导体
,
β-Ga2O3单晶
王佳麒
,
张艳
,
裴广庆
,
周金堂
,
李涛
,
黄小卫
,
柳祝平
人工晶体学报
采用化学腐蚀-金相显微镜法,利用熔融的KOH对顶部籽晶温度梯度法(TSTGT)生长的直径320 mm的蓝宝石单晶中不同部位的晶片做了位错腐蚀形貌分析.研究表明,(0001)面的位错腐蚀坑呈三角形,腐蚀晶界具有延伸性.对比不同腐蚀时间、不同腐蚀温度和不同表面粗糙度下的腐蚀效果,发现使用KOH腐蚀剂在400℃腐蚀15min时,效果最好.表面粗糙度越小,位错图像越清晰.
关键词:
蓝宝石单晶
,
腐蚀
,
KOH
,
表面粗糙度
朴贤卿
,
刘景和
,
裴广庆
,
邹志伟
,
李建利
,
曹莹
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2004.03.028
分别用尿素和碳酸氢铵作沉淀剂制备出性能良好的透明RE∶YAG(RE=Nd,Yb,Er)陶瓷粉体,并应用DTA-TG、XRD、SEM等测试手段分析其粉体结构和形貌.结果表明在适当温度煅烧过程中,失重约40%,所得到的RE:YAG粉末结晶性能良好,粒度在100-150nm之间.而且经烧结后的陶瓷断面气孔率低,多晶晶粒尺寸在1-2μm之间.本文亦对CO2的过饱和度对粉体的粒径大小及形成YAG粉的机理进行了探讨.
关键词:
共沉淀法
,
前驱体
,
YAG
,
透明陶瓷
,
超细粉
裴广庆
,
张艳
,
柳祝平
人工晶体学报
使用预先烧结好的多晶原料,在一定比例的N2和CO2混合气氛下,采用提拉法生长出了高质量的铽镓石榴石(TGG)单晶.采用XRD、ICP和热力学计算进行分析,结果表明,晶体生长过程中的挥发机制为Tb3Ga5O12的分解,分解产物为Tb3 GaO6,Ga2O和O2.CO2被Ga2O还原产生O2,抑制了Tb3Ga5O12的分解.TGG单晶的化学分子式存在Tb富集或Ga缺失,为Tb3Ga4.4～4.5O11.1～11.3非化学计量比相.将晶体毛坯加工成φ2.8 mm×10.7 mm的晶棒,消光比测试结果表明镀增透膜后消光比平均可提高18.8 dB.
关键词:
提拉法
,
TGG晶体
,
挥发机制
,
消光比
