刘汉法
,
张化福
,
袁玉珍
,
袁长坤
材料导报
采用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出高质量的掺钛氧化锌(ZnO:Ti)透明导电薄膜,研究了溅射功率对ZnO:Ti薄膜结构、形貌和光电性能的影响,结果表明,溅射功率对ZnO:Ti薄膜的结构和电阻率有显著影响.XRD表明,ZnO:Ti薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向.当溅射功率为130W时,实验制备的ZnO:Ti薄膜的电阻率具有最小值9.67×10~(-5)Ω·cm.实验制备的ZnO:Ti薄膜具有良好的附着性能,可见光区平均透过率超过91%.ZnO:Ti薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极.
关键词:
ZnO:Ti
,
透明导电薄膜
,
溅射功率
,
磁控溅射
刘云燕
,
袁玉珍
,
李洁
,
高绪团
材料导报
ZnO基紫外光探测器被认为是目前研究紫外探测器的重点之一.简要介绍了ZnO基紫外光探测器采用的基本结构:包括光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型;比较了不同结构的ZnO紫外光探测器所具有的优缺点,对光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型紫外光探测器近几年的发展分别进行了详细评述.
关键词:
ZnO基
,
紫外光探测器
,
MSM
,
光电导
,
肖特基势垒
,
p-n结
刘汉法
,
袁玉珍
,
张化福
,
袁长坤
人工晶体学报
利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了高质量的掺钛氧化锌透明导电薄膜(ZnO: Ti).研究了溅射压强对ZnO: Ti薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明,溅射压强对ZnO: Ti 薄膜的结构和电阻率有显著影响.X射线衍射(XRD)表明,ZnO: Ti 薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向.在溅射压强为5.0 Pa时,实验获得的ZnO: Ti薄膜电阻率最小值为1.084 ×10~(-4) Ω· cm.实验制备的ZnO: Ti 薄膜具有良好的附着性能,可见光区平均透过率超过91%.ZnO: Ti薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极.
关键词:
ZnO:Ti薄膜
,
透明导电薄膜
,
溅射压强
,
磁控溅射
袁玉珍
,
王辉
,
张化福
,
刘汉法
,
刘云燕
人工晶体学报
采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出Zr,Al共掺杂ZnO(AZZO)透明导电薄膜.用XRD和SEM分析和观察了薄膜样品的组织结构和表面形貌.研究表明:制备的AZZO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向.另外还研究了薄膜的结构、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系.当薄膜厚度为843 nm时,电阻率具有最小值1.18×10~(-3) Ω·cm,在可见光区(500~800 nm)平均透过率超过93%.
关键词:
磁控溅射
,
Zr,Al共掺杂ZnO
,
膜厚
,
透明导电薄膜
张化福
,
袁玉珍
,
臧永丽
,
祁康成
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.01.008
以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜.系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiNx薄膜中的si/N比和H含量影响薄膜的界面特性,而NH3/SiH4流量比则主要通过影响薄膜中的H含量影响薄膜界面特性.实验制备的SiNx薄膜层中的固定电荷密度、可动离子密度、SiNx与p-si之间的界面态密度分别达到了1.7×1012/cm2、1.4×1012/cm2、3.5×1012/(eV·cm2),其界面特性达到了制备高质量p-si TFT栅绝缘层的性能要求.
关键词:
TFT
,
SiN
,
薄膜
,
界面特性
刘汉法
,
张化福
,
类成新
,
袁玉珍
,
袁长坤
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.02.006
利用射频磁控溅射法首次在室温水冷柔性衬底 PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜.X射线衍射和扫描电子显微镜表明,ZnO∶Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有平行于衬底方向的择优取向.实验获得ZnO∶Zr薄膜的最小电阻率为1.55×10-3 Ω·cm.实验制备的ZnO∶Zr薄膜具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率超过90%.
关键词:
ZnO∶Zr薄膜
,
柔性衬底
,
磁控溅射
,
透明导电薄膜
刘汉法
,
张化福
,
袁玉珍
,
袁长坤
,
类成新
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.06.010
利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺钛氧化锌(ZnO:Ti)透明导电薄膜.SEM和XRD研究结果表明,ZnO:Ti薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向.厚度为437 nm薄膜的电阻率为1.73×10~(-4) Ω·cm.所制备薄膜具有良好的附着性能,薄膜样品在500~800 nm的可见光平均透过率都超过了91%.
关键词:
ZnO:Ti薄膜
,
透明导电薄膜
,
磁控溅射
,
光电性能