袁泽锐
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唐明静
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张羽
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窦云巍
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方攀
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尹文龙
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康彬
人工晶体学报
利用单温区机械振荡法合成出高纯单相AgGa0.2In0.8Se2多晶,单次合成量超过400 g;DSC测试结果显示其熔点为782℃,结晶温度为771℃.利用坩埚下降法在小温度梯度(2℃/cm)下生长出尺寸为φ25 mm× 75 mm高品质无开裂AgGa0.2In0.8Se2单晶.解离面(112)面摇摆曲线半峰宽为0.056°.厚度为3 mm双面抛光的(112)面晶片在1.5～18 μm波段透过率为65.0％ ～ 67.5％,表明所生长AgGa0.2In0.8Se2晶体具有较低的吸收系数,为0.01 ～0.1之间.
关键词:
AgGa1-xInxSe2
,
晶体生长
,
温度梯度
,
坩埚下降法
杨胜伟
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朱世富
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赵北君
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陈宝军
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袁泽锐
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樊龙
人工晶体学报
本文报道了一种能在室温下对硫镓银晶体(112)面进行择优腐蚀的新腐蚀液配方,采用新腐蚀液对改进的Bridgman法生长的AgGaS2晶体进行腐蚀,用扫描电镜对蚀坑进行了观察,得到了清晰的(112)面蚀坑形貌,形状为三角锥形.初步解释了蚀坑的形成原因.AgGaS2晶体低指数的{100}面的腐蚀速度较慢,在腐蚀过程中逐渐显露出来,最终使晶体(112)面呈现出三角锥形蚀坑形貌.
关键词:
硫镓银
,
单晶体
,
蚀坑形貌
,
SEM观察
袁泽锐
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朱世富
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赵北君
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陈宝军
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何知宇
,
杨胜伟
人工晶体学报
分析了硫镓银晶体的反常热膨胀,主要是由于晶体结构中Ag,Ga,S三种原子形成的四面体随着温度变化发生了畸变;通过采用改变生长安瓿的直径和壁厚,并在生长安瓿外面加一层套管的方法来减小晶体在降温过程中的反常热膨胀作用,有效避免了反常热膨胀可能造成的晶体破裂现象,生长出了完整性较好的大尺寸硫镓银单晶体.
关键词:
硫镓银
,
黄铜矿结构
,
晶体生长
,
反常热膨胀
,
石英安瓿下降法
