袁果
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黎建明
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张树玉
,
刘伟
,
闫兰琴
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.01.008
采用射频磁控反应溅射法在k9玻璃衬底上制备了In2O3∶Mo(IMO)透明导电薄膜,分析了不同氧分压条件下IMO薄膜的晶体结构、化学成分及光电性能.结果表明:不同氧分压下制备的IMO薄膜具有不同晶粒的取向性;随着氧分压的增加,薄膜的载流子浓度、载流子迁移率先增加后减小;薄膜的电阻率呈现先增加再减少然后再增加的趋势.在可见及近红外区,有氧气氛下制备的IMO薄膜的平均透过率大于80%以上,并随氧分压的升高而增大.
关键词:
掺钼氧化铟薄膜
,
氧分压
,
电学性能
,
光学性能
