袁志钟
,
杨德仁
材料导报
信息技术的发展要求在集成电路内部用光子代替电子来传导信息,这就使得硅基光源成为技术发展的方向和光电子集成的关键,是当前急需解决的科学挑战之一.硅晶体缺陷发光是十分重要的硅基发光现象,已引起广泛的关注.在硅基位错发光原理的基础上,综述了硅晶体中缺陷的光致发光和电致发光的研究进展,以及硅晶体缺陷在发光器件方面的应用.
关键词:
硅
,
光致发光
,
电致发光
,
位错
,
氧沉淀
姚宏燚
,
袁志钟
,
熊志高
,
翟艺璇
,
李东升
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.18.001
利用反应磁控溅射法(RMS)制备了SnO2薄膜,并研究了溅射参数对薄膜微观结构和光学性能的影响.结果表明,随着溅射气压、氧分压的增大和衬底温度的升高,薄膜沉积速率相应减小;在不同衬底温度下(室温至600℃)溅射薄膜时,较高的衬底温度可得到较大的SnO2晶粒,表面更为粗糙;此外,将原生SnO2薄膜在O2气氛下退火可以改善其结晶度,原本的柱状结构转变成致密的薄膜结构,其光学禁带宽度变宽至3.85 eV;经过退火的SnO2薄膜的光致发光(PL)强度显著增强,位于约610 nm的PL发光峰主要是源于SnO2纳米晶体表面悬挂键的未饱和电子态.
关键词:
SnO2薄膜
,
反应磁控溅射
,
光致发光
,
光学禁带
