袁广才
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徐征
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张福俊
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王勇
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许洪华
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孙小斌
功能材料
采用射频反应磁控溅射的方法,以ITO(铟锡氧化物)玻璃为衬底,在Al2O3/AlN复合栅极绝缘层上沉积有源层ZnO薄膜,并以Al作为透明薄膜晶体管器件源极和漏极,通过XRD、透射光谱研究了透明薄膜晶体管的有源层ZnO的结晶情况以及对器件在可见光范围内的透过特性的影响,得出以Al2O3/AlN为复合缓冲层薄膜晶体管,在400℃温度下退火处理后,ZnO有源层有较好的c-axis(002)择优取向,器件在可见光的范围内整体透过率在88%以上,从而实现了ZnO-TFT器件在可见光范围内的透明.
关键词:
ZnO薄膜
,
反应磁控溅射
,
透射率
,
透明薄膜晶体管
王勇
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赵谡玲
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徐征
,
袁广才
,
赵德威
中国稀土学报
以稀土配合物Tb0.5Eu0.5(thienyltrifluroacetone)3-2,2-biphenyl(简称Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK∶Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy/BCP/Alq3/Al的OLED发光器件,在直流电压的驱动下,发现了铕在612 nm处的特征发射和PVK在410 nm处的发光.此外,还观察到了位于490 nm处的新的发光峰.通过改变不同的器件结构,分析研究了新的发光峰的性质,认为新的发光来自于稀土配合物的配体和BCP之间相互作用形成的电致激基复合物.
关键词:
电致发光
,
配体
,
电致激基复合物
,
稀土配合物
袁广才
,
徐征
,
张福俊
,
王勇
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.03.012
采用RF-磁控溅射生长铟锡氧化物薄膜(ITO),研究了生长条件、快速热退火(RTA)温度对薄膜的晶化情况、透过率、电导率以及表面形貌的影响.结果表明:改变In2-x3+(Snx4+·e)O3制备过程中的氧含量使Sn4+·e对电子束缚能力发生变化,过高的氧分压使费米能级EF降低,功函数Ws增大,氧气流量为2 ml/min、退火温度为450℃时薄膜电阻率最低为2.5×10-4 Ω·cm,透过率达88%以上.
关键词:
无机非金属材料
,
反应磁控溅射
,
ITO薄膜
,
快速热退火(RTA)
,
电阻率
袁广才
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徐征
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张福俊
,
王勇
,
许洪华
,
孙小斌
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.022
采用磁控溅射和电子束热蒸发方法制备了ZnO-TTFT(ZnO基透明薄膜晶体管)器件,通过XRD和透射光谱对两种不同制作方法的样品性质进行分析比较,得出采用溅射法制备的ZnO-TTFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异,制得器件的有源层有较好的c-axis(002)方向择优取向,器件的平均透过率在85 %以上.研究了退火处理对器件性能的影响,发现快速热退火有利于改善薄膜的晶化,降低缺陷态密度,提高器件的透光性.
关键词:
薄膜晶体管
,
ZnO薄膜
,
透过率
,
快速热退火
