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磁控溅射中工艺参数对ZnO:Al薄膜性能的影响

徐玮 , 于军 , 王晓晶 , 袁俊明 , 雷青松

材料导报

利用射频磁控溅射法,采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材,在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜,研究了溅射功率及溅射气压对薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响.采用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,采用分光光度计和电阻率测试仪对薄膜的光电学性能进行了测试.结果表明,当溅射功率为120W、衬底温度为300℃、工作气压为0.5Pa时制得的薄膜具有良好的光电学性能,可见光平均透过率为88.21%,电阻率为8.28×10-4Ω·cm.

关键词: 磁控溅射 , 陶瓷靶材 , 电阻率 , 透过率 , ZnO:Al薄膜

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