吴音
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周和平
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缪卫国
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韩巍
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薛鸿陆
无机材料学报
利用X射线衍射仪，对冲击波（压力为9．SGPa）处理的AIN粉体的衍射峰展宽现象进行分析，得到粉体内平均微观应变为2．85×10-3；相应的位错密度为1011／cm2；体内储存的缺陷能为0．36Cal／g．研究了以冲击波处理的AIN粉体为原料，在添加6Wt％以Dy2O3为主的助烧结剂的低温无压烧结过程中，缺陷对低温烧结和热导率的影响．结果表明：冲击波处理AIN粉体所致缺陷能，除了可以促进烧结；同时还起到了去除AIN晶格中的Al2O3，及提高热导率的作用．粉体中储存的能量在烧结过程中释放，使冲击粉试样比未冲击粉试样达到最大线收缩速率时的温度降低25℃；试样在1610℃，无压烧结4h，冲击粉试样密度为理论值的98％，而未冲击试样仅为80％．位错在烧结过程中为氧扩散提供渠道，使氧的扩散除了通过溶解一析出过程，还有固态扩散的作用，而这些位错在烧结后期得到回复．
关键词:
AlN陶瓷
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