孟骁然
,
平云霞
,
常永伟
,
魏星
,
俞文杰
,
薛忠营
,
狄增峰
,
张苗
,
张波
功能材料与器件学报
本文详细研究了高锡含量锗锡合金(Ge0.92Sn0.08)与镍在退火条件下的反应.通过表层电阻测试、原子力显微镜和透射电镜等表征手段,我们分别研究了镍锗锡材料在300℃、400℃、500℃温度下退火后的表面和界面形貌.研究表明:与镍和锗反应相比,镍和锗锡材料反应生成的镍锗锡薄膜热稳定性变差,退火温度400℃后镍锗锡薄膜表层电阻就迅速增加,样品表面变得不连续,团聚为平均长度200nm左右的岛状晶粒,样品表面和界面与电学性质都遭到了破坏.
关键词:
锗锡合金
,
镍
,
热稳定性
张波
,
陈静
,
魏星
,
武爱民
,
薛忠营
,
罗杰馨
,
王曦
,
张苗
功能材料
采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜.利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究.研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低.
关键词:
氮化镓
,
绝缘体上硅
,
侧向外延
文娇
,
刘畅
,
俞文杰
,
张波
,
薛忠营
,
狄增峰
,
闵嘉华
功能材料与器件学报
利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱(Raman spectrum)研究了由扩散引起Si/SiGe/Si异质结中Si/SiGe异质界面互混的现象.结果表明:应变弛豫前Si/SiGe异质界面互混程度随热载荷的增加而增强;Si/SiGe异质界面的硼(B)浓度梯度抑制了界面互扩散.总之,Si/SiGe互扩散作用越强诱发Si/SiGe异质界面越粗糙,从而导致器件性能恶化.
关键词:
Si/SiGe互扩散
,
热载荷
,
硼浓度梯度
张波
,
俞文杰
,
薛忠营
,
魏星
功能材料与器件学报
本文主要研究了不同剂量C+离子预先注入Si08Ge0.2衬底后,对Ni和Si0.8Ge0.2反应的影响.研究结果充分表明:C+离子注入的Si08Ge02衬底,降低了Ni和Si0.8Ge0.2反应的速度,提高了NiSi08Ge0.2的热稳定性.此外,我们发现C原子分布在NiSi0.8Ge02/Si0.8Ge0.2的界面,大幅度降低了Ni-Si0.8 Ge0.2表面和NiSi0.8 Ge0.2/Si0.8Ge0.2界面的粗糙度,高剂量C+注入的样品效果更为明显.
关键词:
镍
,
硅锗
,
碳
陈达
,
刘林杰
,
薛忠营
,
刘肃
,
贾晓云
材料导报
利用RPCVD系统,在150mm(100)硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜,研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响,并对薄膜进行了掺杂处理.分别利用高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、原子力显微镜、二次离子质谱表征了薄膜特性.结果表明,通过克服RPCVD系统中外延层高缺陷密度、掺杂控制困难等缺点,制备出高质量的SiGe薄膜.
关键词:
薄膜
,
减压化学气相沉积
,
硅锗
,
负载影响
薛忠营
,
张波
,
魏星
,
张苗
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.005
采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态.通过与Si上外延渐变缓冲层制备的SiGe材料比较发现,使用这种超薄的全应变SiGe叠层材料来制备SGOI,可以大大缩短制备周期,降低制备成本.
关键词:
外延
,
应变
,
锗硅
,
SOGI
薛忠营
,
张德恒
,
王卿璞
功能材料
随着人们对ZnO薄膜材料发光特性的不断深入,发现了不同能量位置的多个发光峰,本文对用不同方法制备的ZnO薄膜材料的发光谱、发光特性及其相应的发光机制、国内外研究动态进行了综合评述.介绍了由带间跃迁、激子复合和缺陷能级引起的发光和发光谱特性.
关键词:
ZnO薄膜
,
光致发光
,
激发强度
