齐永莲
,
王丹
,
邱云
,
张斌
,
周婷婷
,
谢蒂旎
,
薛建设
,
赵合彬
,
曲连杰
,
石广东
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173203.0169
平板显示中影响色域的两个关键因素为背光源发光光谱特性和彩色滤光片的透过光谱特性.在TFT-LCD的高色域领域,为了实现BT2020标准,我们开发了量子点光刻胶替代彩色滤光片的方法.首先合成新型的量子点光刻胶,将其作为色彩转换膜制备在彩色滤光片下方,通过背光激发量子点自发光,可得到色纯度更高的红绿光.研究表明,自主开发的量子点光刻胶可以有效地进行色转换,可耐受光刻工艺,在高温烘烤和碱性显影下,可保持一定转换效率,且能实现pattern化,避免目前用白光直接搭配彩膜的漏光问题,有效地提高色域.
关键词:
量子点
,
光刻胶
,
图案化
,
高色域
,
显示
周伟峰
,
薛建设
,
明星
,
刘翔
,
郭建
,
谢振宇
,
赵承潭
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112601.0019
将具有低介电常数的丙烯酸酯树脂作为薄膜晶体管液晶显示器的钝化层整合到阵列基板中.与传统的SiN<,x>薄膜(ε≈7)相比,丙烯酸酯树脂钝化层具有平坦的表面,其低介电常数(ε≈4.5)可以降低器件的RC延迟,这都将有利于提高薄膜晶体管液晶显示器的开口率,从而提高显示器的亮度,降低能耗和制作成本.
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
低介电常数
,
丙烯酸酯树脂
,
钝化层
周伟峰
,
薛建设
,
金基用
,
刘翔
,
明星
,
郭建
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112602.0165
通过对掩膜版上不同狭缝与遮挡条设计与TFT沟道形貌、电学特性相互关系的分析,发现随着狭缝与遮挡尺寸的减小,TFT的电学特性、沟道处光刻胶起伏与最终关键尺寸偏移量都会改善.狭缝的尺寸比遮挡条的尺寸对TFT特性的影响更加显著.考虑到沟道转角处的短路几率问题,小的狭缝与遮挡条尺寸设计更加适合于四次掩膜光刻工艺,转角处的缺陷可以通过调整遮挡条的尺寸来避免.
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
沟道设计
,
四次掩膜曝光
黎午升
,
惠官宝
,
崔承镇
,
史大为
,
郭建
,
孙双
,
薛建设
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0544
实现高PPI(单位面积像素个数),需要更细的线宽和更窄的间距,这往往受到光刻设备解像力的限制,本文对基于不改造镜像投影曝光设备而提高光刻解像力进行研究.用半导体工艺模拟以及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,相位移掩膜和传统掩膜下2.5 μm等间隔线的光强分布.根据设备参数模拟分析离焦量为15、30 μm时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后,实际比较测量了相同条件下各自曝光剂量范围和切面坡度角.实验结果表明:相位移掩膜能使镜像投影曝光机分辨力以下间距(线宽)的工艺容限增大1倍,并使相应曝光量下间距(线宽)的分布更集中,从而增加细线化的稳定性.使用相位移掩膜能提高镜像投影曝光机的解像力.
关键词:
相移掩膜
,
等间隔线
,
模拟
,
曝光容限
,
解像力
薛建设
,
林炜
,
马瑞新
,
康勃
,
吴中亮
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.012
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上氩气气氛中制备出(Al, Zr)共掺杂的ZnO透明导电薄膜,研究了不同Zr掺杂浓度和薄膜厚度ZnO薄膜的结构、电学和光学特性.结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有(002)单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,电阻率为2.2×10-2 Ω·cm,且可见光段(320～800 nm)平均透过率达到85 %的ZnO透明导电薄膜.在150 ℃的条件下对(Al, Zr)共掺杂的ZnO薄膜进行1 h的退火处理,薄膜电阻率降低至8.4×10-3 Ω·cm.Zr杂质的掺入改善了薄膜的可见光透光性.
关键词:
氧化锌
,
透明导电薄膜
,
电阻率
,
透光率
,
射频磁控溅射
李丽
,
秦纬
,
薛建设
,
彭志龙
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.01.006
在TFT-LCD的生产过程中,阵列金属被腐蚀是造成TFT-LCD产品缺陷(亮线、薄亮线等)的常见原因.文章对实际生产过程中阵列基板的一种典型腐蚀性缺陷,应用扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子柬(FIB)和能谱仪(EDS)等工具,并且结合BO(Business Objects)、CIM(Computer Integrated Manufacturing)等数据统计软件进行了分析.确定了造成缺陷的原因是栅金属暴露在含氯元素的酸性气体中被腐蚀,还确定了酸性气体的泄露源,并且推断出其形成机理:腐蚀发生在栅金属刻蚀(Gate Etch)工艺和多层膜沉积(Multi-Deposition)工艺之间,随后的多层膜沉积工艺的抽真空过程促进了缺陷的进一步形成.另外,针对发生此种缺陷时的应急措施进行了探讨.
关键词:
TFT-LCD
,
阵列
,
腐蚀
,
缺陷分析
,
SEM
张锋
,
薛建设
,
喻志农
,
周伟峰
,
惠官宝
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122702.0163
介绍了量子点材料的发光原理、基本结构,以及量子点LED的特性、制备方法以及其在显示领域的最新进展.量子点LED由于具有发光纯度高、使用寿命长、可由溶液法制备等独特的优点,越来越受到人们 的重视,成为显示领域新的研究热点.
关键词:
量子点
,
发光二极管
,
显示器件
,
色域
薛建设
,
李国勋
,
胡尧沁
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.02.011
用固态扩散和机械球磨法制备出纳米级Mg2Ni和Mg1.7Al0.3Ni储氢合金, 其电化学性能超过用传统方法制备的合金. 充放电测试表明: 该合金放电电压平台 (电压超过1.2 V) 较高; 在200 mA/g放电电流密度下, 合金充放电循环50次, 容量仍保持在200 mAh/g以上. X射线衍射分析表明: 随着球磨时间延长, 衍射峰的宽化程度变大, 强度逐渐减弱, 12 h后变化减缓. 这是由于晶粒尺寸变小, 缺陷及应力密度增加之故. 合金电化学性质的改善与合金在机械研磨中的微结构变化有关, 并且合金组成中铝部分取代镁对于延长合金的循环寿命有至关重要的作用.
关键词:
储氢合金
,
机械研磨
,
Mg2Ni合金
,
电化学性能
