焦健
,
潘明虎
,
薛其坤
,
包信和
催化学报
采用原位扫描隧道显微镜研究了Si(111)-7×7表面蒸镀纳米银团簇的迁移行为以及氧气氛的促进作用. 在覆盖度较低的情况下,蒸镀的银原子在Si(111)-7×7表面形成具有规整三角形结构单元的有序银团簇,它们主要占据在Si(111)-7×7表面有位错的半单胞内. 在氧的存在下,形成的结构单元在硅表面发生迁移,并逐渐团聚成无明显结构特征的大粒子. 原位观察结果表明,在连续扫描过程中,团聚后的大粒子在氧覆盖的硅表面也会发生迁移,最后稳定在硅表面原子氧吸附位周围. 进一步的观察发现,硅表面银团簇的存在对随后氧的吸附状态具有明显的影响. 这些结果为解释纳米银团簇在SiO2表面具有独特的催化性能提供了依据.
关键词:
扫描隧道显微镜
,
二氧化硅
,
银团簇
,
迁移
,
吸附氧
马大衍
,
马胜利
,
徐可为
,
薛其坤
,
S.Veprek
材料研究学报
基于纳米复合Ti-Si-N薄膜硬度对界面相微结构及微尺度变化极为敏感的实验事实,
定量表征了薄膜的硬度与氧杂质含量的关系. 结果表明, 与高纯度薄膜40-55 GPa高硬度比较,1%-1.5%的氧杂质含量导致薄膜的硬度下降到30 GPa左右.根据纳米晶界面原子模型和实验结果,氧杂质与纳米尺度界面交互作用所引发的微尺度缺陷是硬度下降的诱因,晶界面的氧杂质密度是薄膜高硬度损失程度的决定因素,单个纳米晶周围的氧杂质覆盖度达到10个原子以上时, 薄膜的硬度只能达到30 GPa.
关键词:
材料科学基础学科
,
null
马大衍
,
马胜利
,
徐可为
,
薛其坤
,
S. Veprek
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.03.012
基于纳米复合Ti-Si-N薄膜硬度对界面相微结构及微尺度变化极为敏感的实验事实,定量表征了薄膜的硬度与氧杂质含量的关系.结果表明,与高纯度薄膜40-55 GPa高硬度比较,1%-1.5%的氧杂质含量导致薄膜的硬度下降到30 GPa左右.根据纳米晶界面原子模型和实验结果,氧杂质与纳米尺度界面交互作用所引发的微尺度缺陷是硬度下降的诱因,晶界面的氧杂质密度是薄膜高硬度损失程度的决定因素,单个纳米晶周围的氧杂质覆盖度达到10个原子以上时,薄膜的硬度只能达到30 GPa.
关键词:
材料科学基础学科
,
纳米复合薄膜
,
硬度
,
氧杂质
何珂
,
薛其坤
材料研究学报
简要综述自从2005年前后发展起来的一类新的材料体系-“拓扑”量子材料,它包含拓扑绝缘体、拓扑晶体绝缘体、拓扑超导体和拓扑半金属等.这类材料中较强的自旋轨道耦合作用导致了包括量子反常霍尔效应在内的丰富多彩的量子现象,有可能对未来低能耗电子学、拓扑量子计算和清洁能源等技术的发展具有重大的推动作用.
关键词:
综述
,
拓扑绝缘体
,
量子霍尔效应
,
量子反常霍尔效应
王得勇
,
刘杰
,
贾金锋
,
刘洪
,
薛其坤
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.04.028
近年来,光电子谱被广泛应用于薄膜中量子阱态的研究.为解释薄膜中分立的量子阱态和薄膜的光电子谱间的关系,发展了一些理论模型.介绍了近自由电子模型、相位积累模型和电子干涉模型等关于薄膜中量子阱态的理论模型,并用它们解释了量子阱态在光电子谱中峰位和线宽.线宽由准粒子寿命的倒数Г以及电子在表面和界面反射系数的和R决定,电子波矢К以及电子在表面和界面相位移之和Ф决定了峰的位置.
关键词:
光电子学
,
量子阱态
,
近自由电子模型
,
相位积累模型
,
电子干涉模型
,
光电子谱
