周岩
,
介万奇
,
何亦辉
,
蔺云
,
郭欣
,
刘惠敏
,
王涛
,
徐亚东
,
查钢强
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.07.028
通过红外透过成像研究了 Cd/Zn 气氛退火过程中 Cd0．9 Zn0．1 Te∶In 晶体内 Te 夹杂的密度及尺寸分布的演变.结果发现,Cd/Zn 气氛退火前,晶体中的 Te 夹杂密度分布比较均匀；退火后,晶体高温端近表面区域的 Te 夹杂密度较退火前提高了1个数量级,而晶体内部的 Te 夹杂密度则较退火前降低了1个数量级,且其密度沿温度梯度方向逐渐增加.退火前,晶体表面和内部的 Te 夹杂的直径主要分布在1~25μm；退火后,在晶体表面,直径＜45μm 的 Te 夹杂密度显著增大；而在晶体内部,直径＜5μm 和＞25μm的 Te 夹杂密度显著增大.导致这些现象的原因是退火过程中,Te 夹杂沿着温度梯度方向不断向晶体表面迁移,在迁移过程中尺寸相近的 Te 夹杂通过合并长大,尺寸相差较大的 Te 夹杂则以 Ostwald 熟化方式长大,并使小尺寸的 Te 夹杂更小.但由于熟化不充分,在 Ostwald 熟化长大过程中留下了很多尺寸＜5μm 的 Te 夹杂颗粒.
关键词:
CdZnTe
,
Cd/Zn 合金
,
退火
,
Te 夹杂
,
迁移机制
蔺云
,
介万奇
,
查钢强
,
张昊
,
周岩
,
汤三奇
,
李嘉伟
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.10.015
采用近空间升华法在 GaAs (100)衬底上外延生长CdZnTe 单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs(100)衬底后,对CdZnTe 外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS 的结果表明,CdZnTe 外延膜表面平滑致密且膜中成分分布较均匀；红外透过成像分析的结果表明, CdZnTe厚膜中无明显的 Te 夹杂相；X 射线摇摆曲线、PL 谱的结果表明,随着薄膜厚度的增加,CdZnTe外延膜中的晶体缺陷减少,应变弛豫,结晶质量提高,通过增加膜厚可以获得高质量的 CdZnTe 外延膜；电学测试表明,CZT外延膜的电阻率在1010Ω·cm数量级,且具有较好的光电响应特性,可用于高能射线探测。
关键词:
近空间升华法
,
CdZnTe外延厚膜
,
PL谱
,
应变弛豫
杨睿
,
介万奇
,
孙晓燕
,
杨敏
,
呼唤
,
蔺云
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140539
以CrTe作为掺杂源、以Te作为溶剂，用温度梯度溶液法生长了Cr掺杂的ZnTe晶锭。晶锭头部的晶粒尺寸较大(>10 mm×10 mm)，且Te夹杂相较少。Te夹杂相的大小、形状和分布可以反映晶锭中的温场分布。晶锭的径向非对称温场导致富Te相沿径向非对称分布。Te夹杂相在温度梯度作用下的热迁移会导致其相互融合长大、变长。Te夹杂相也会在晶体中引入裂纹和空洞等缺陷。部分未被掺入ZnTe中的CrTe富集于固液界面处，表明温度梯度溶液法生长晶体时具有一定的排杂作用。Cr掺杂的ZnTe晶体的电阻率(约1000?·cm)高于未掺杂的ZnTe(约300?·cm)。Cr掺杂晶体在约1750 nm处的吸收峰表明Cr2+离子被成功地掺入了ZnTe中。但是Cr掺杂后晶体的红外透过率降低，表明Cr掺杂引入了较多的缺陷。
关键词:
C r掺杂Z n Te
,
晶体生长
,
Te夹杂相
,
电学和光学性能
