蔡莉莉
,
李海军
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.02.018
应用兀FTIR技术研究了1.5 MeV不同剂量电子辐照直拉硅(CZ-si)的V-O缺陷在不同温度热处理时的行为.发现随着辐照剂量的增加,间隙氧的吸收峰不断下降,而VO(830 cm-1)强度迅速增加,并且其退火温度随辐照剂量的增加而升高,伴随830 cm-1峰的出现,在860 cm-1处出现一弱的吸收峰,两者有着相似的退火行为.VO0(830 cm-1)与样品中的初始间隙氧含量无关.400℃热处理,出现了889cm-1对应的复合体VO2,其形成主要在退火初期,该峰强度不随退火时间发生变化,但与初始氧含量有关.
关键词:
电子辐照
,
辐照缺陷
,
VO
,
FTIR
蔡莉莉
,
李晶
材料导报
主要研究了1.5MeV、剂量为3.5×1017e/cm2的电子辐照后的直拉硅经后续高温热处理,其体内氧沉淀的变化情况以及清洁区的形成.结果表明,电子辐照促进了直拉硅中氧沉淀的生成,而且经过快速热处理再加上高温一步退火,电子辐照后的直拉硅内形成一定宽度的清洁区,而且清洁区的宽度随快速热处理温度的升高而变窄.
关键词:
电子辐照
,
氧沉淀
,
快速热处理(RTP)
,
清洁区(DZ)
蔡莉莉
,
冯翠菊
,
陈贵锋
材料科学与工程学报
用能量为1.5MeV,剂量为1.8×1018 e/cm2的电子束辐照直拉硅单晶样品,通过傅里叶变换红外光谱技术(FTIS)研究了辐照后样品中VO2缺陷随退火温度的变化及其热稳定性.实验结果表明,辐照在样品中引入了VO2的亚稳态缺陷,其特征吸收峰在低温红外光谱中向高频方向移动,300℃热处理时该亚稳态缺陷转化为VO缺陷;400℃热处理样品中出现了VO2的稳态缺陷,450℃热处理该稳态缺陷的峰值强度达到最大,当退火温度达到550℃时,该稳态缺陷完全消失并转化为其它复杂的缺陷.这种稳态的VO2缺陷经历450℃长时间热处理表现出良好的热稳定性,而在500℃短时热处理后转化为其它缺陷.
关键词:
电子辐照
,
傅里叶变换红外光谱(FTIS)
,
亚稳态缺陷
,
VO2复合体
蔡莉莉
,
冯翠菊
,
王会彬
材料科学与工程学报
采用数值模拟方法研究了不同的工艺条件对多晶硅锭定向凝固过程中固液界面形状和温度梯度的影响,为优化多晶硅凝固过程的参数和有效控制定向凝固过程提供了参考依据.模拟结果表明,降埚速率越大,晶体生长速率越快,硅锭内温度梯度也随之增加,当降埚速率小于60mm/h时,固液界面始终保持凹界面;保持一定的降埚速率和冷源温度不变,改变多晶硅锭的冷却速率,坩埚内固液界面的形状基本保持不变,但冷却速率对晶锭内温度梯度的影响较明显,冷却速率越大晶锭内温度梯度越大.
关键词:
多晶硅锭
,
数值模拟
,
温度梯度
,
固-液界面
蔡莉莉
,
冯翠菊
,
陈贵锋
硅酸盐通报
对经过电子辐照的n型[111]晶向直拉硅样品在不同气氛下进行了热处理,对比研究了热处理气氛对电子辐照直拉硅中的缺陷形貌、间隙氧含量的变化以及清洁区的影响.实验结果表明,热处理气氛对辐照样品中的缺陷形貌影响较大:氩气氛下退火样品体内的缺陷以位错环为主而氮气氛下则主要是层错,并对此现象的机理进行了讨论;经历不同气氛快速预处理再进行高温一步退火后,辐照样品表面会产生一定宽度的清洁区,而氮气氛下清洁区宽度较窄;通过傅里叶变换红外光谱仪检测间隙氧含量的变化发现氮气氛下退火的样品间隙氧含量下降较多,说明氮气氛热处理更有利于氧沉淀的生成.
关键词:
电子辐照
,
氧沉淀
,
缺陷形貌
,
快速热处理(RTP)
,
清洁区(DZ)
蔡莉莉
,
冯翠菊
,
陈贵锋
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.01.015
对N型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后在不同温度下进行常规热处理,对比研究了不同辐照剂量的样品少子寿命和电阻率随退火温度的变化.结果表明:直拉硅单晶样品经电子辐照后电阻率增加,少子寿命下降,辐照剂量越高电阻率增加的越多,少子寿命下降越明显.对辐照样品进行不同温度热处理发现热处理温度低于600℃,少子寿命基本处于稳定值,当退火温度达到650℃时,辐照样品的电阻率与少子寿命均恢复至辐照前的初始值,表明在该温度下辐照引入的缺陷基本消除,因此晶体的导电能力逐渐恢复.而经750℃热处理后,辐照样品的少子寿命和电阻率分别出现一个低谷,辐照剂量越高电阻率和少子寿命值在该温度下下降幅度越大,而且随着热处理时间的延长,辐照样品电阻率不断下降,通过间隙氧含量的测量也初步证明电阻率的下降与间隙氧原子的偏聚有关,该温度下电阻率的下降与辐照相关联.
关键词:
电子辐照
,
少子寿命
,
辐照缺陷
,
电阻率
