孙兆奇
,
蔡琪
,
吕建国
,
宋学萍
功能材料
用直流磁控溅射在室温Si基片和载玻片上制备了厚度为7.6～81.3nm超薄Au膜,用X射线衍射及数字电桥对薄膜的微结构和电学性质进行了测试分析.微结构分析表明:制备的超薄Au膜仍为面心立方多晶结构;在膜厚d＜46.3nm时,(111)晶粒平均晶粒尺寸随膜厚增加逐渐增大,当d＞46.3nm后,晶粒尺寸几乎保持不变,甚至有所减小;(220)晶粒的平均晶粒尺寸则总是随膜厚的增加而增大.薄膜晶格常数均比PDF标准值(0.4078nm)稍小,随膜厚增加,薄膜晶格常数由0.4045nm增大到0.4077nm.电阻率分析结果表明,随着膜厚的增加,薄膜的电阻率经历了岛状膜的极大-网状膜的急剧减小-连续膜的缓慢减小.膜厚d＞46.3nm后,由于薄膜中长出新的(111)小晶粒,电阻率略有增加.
关键词:
超薄Au膜
,
微结构
,
电阻率
江锡顺
,
曹春斌
,
蔡琪
,
宋学萍
,
孙兆奇
功能材料
采用射频磁控溅射法分别在不同温度衬底上制备了厚度为320nm的ZnS薄膜,用XRD和光学相移技术研究了不同衬底温度下薄膜的微结构和应力.结果表明:不同温度衬底上沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,衬底温度由50℃上升到400℃的过程中,其择优取向发生了变化,晶粒有明显的生长方向;ZnS薄膜应力随着衬底温度升高逐渐减小,衬底温度在250～350℃之间的ZnS薄膜应力较小且在选区内分布比较均匀.
关键词:
ZnS薄膜
,
衬底温度
,
微结构
,
应力
吕建国
,
高清维
,
蔡琪
,
宋学萍
,
孙兆奇
功能材料
研究不同体积分数Au-MgF2复合薄膜的非规则微结构,采用局部消除异常法获得薄膜的多重分形谱,结果显示:随着Au体积分数的增加,表征薄膜分布不均匀性的分形谱宽△α从1.4845减小到0.1308,表明薄膜中Au颗粒的分布越来越均匀.当Au体积分数6.0%和13.8%时,△f为负值,而当Au体积分数为38.2%和62.6%时,△f为正值,说明随着体积分数的增加,薄膜中Au颗粒的尺寸分布由小尺寸Au颗粒为主导分布,向大尺寸Au颗粒为主导分布的过渡.
关键词:
Au-MgF2复合薄膜
,
多重分形谱
,
TEM图像
