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纯镁单晶制备研究

刁千顺 , 蔣卫斌 , 孔庆平 , 蔡民 , 刘长松 , 方前锋

人工晶体学报

利用自制的硅碳棒加热单晶生长炉,采用改进的坩埚下降法,在最高温度900℃,坩埚相对下降速度约为1.7cm/h条件下,生长出直径约为φ50mm的纯镁单晶.通过X射线衍射、金相观察和测量电导率等手段研究分析了所生长镁单晶的晶体质量.

关键词: 镁单晶 , 坩埚下降法 , 电导率

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