樊志琴
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张君德
,
李瑞
,
蔡根旺
,
黄浩
,
王建星
,
康广生
人工晶体学报
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在附着有催化剂的石墨片衬底上原位沉积了碳纳米管膜电极.通过正交设计方法综合研究了反应温度、镍膜厚度、沉积时间、甲烷流量对碳纳米管膜电化学性能的影响.结果表明:不同条件下制备的碳纳米管膜的电化学性能有很大差异,其中起主要作用是甲烷流量和反应温度.保持工作压强(6.5×103 Pa)和氢气的流量(100 sccm)不变,温度为700~800 ℃时,甲烷流量为5 sccm,Ni膜厚度为150 nm,生长时间为5 min,所得碳纳米管膜电极电化学性能最佳,氧化峰电流最大,达到14 nA.
关键词:
正交设计
,
碳纳米管
,
MPCVD
,
电化学性能
樊志琴
,
蔡根旺
,
李瑞
,
黄浩
,
张君德
,
王建星
,
康广生
功能材料
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在不锈钢衬底上直接沉积碳纳米管膜.通过正交设计方法综合研究了反应温度、气压、沉积时间、甲烷流量对碳纳米管膜场发射性能的影响.结果表明,不同条件下制备的碳纳米管膜的场发射性能有很大差异,其中起主要作用的是反应温度和气压.保持氢气的流量(100mL/min)不变,温度为700～800℃时,反应室压强为6.5kPa时,场发射性能最好,开启场强仅为0.8V/μm,发射点分布密集、均匀.
关键词:
正交设计方法
,
碳纳米管
,
MPCVD
,
场发射
,
拉曼光谱
樊志琴
,
蔡根旺
,
王世建
,
李瑞
,
张君德
,
程仁志
,
张兵临
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.01.007
对多壁碳纳米管薄膜作为阴极的真空三极结构发光管器件进行了初步研制.研究了器件结构及场发射特性.研究证明碳纳米管薄膜是一种性能优良的冷阴极材料.采用CNTs薄膜为阴极的真空发光管器件可以在10-6～10-7 Pa的真空度下稳定工作,并在较低的阳极工作电压下获得较大的电流.在阳极电压为5.8 kV,栅压为750 V时,在3 cm2发射面积上,可获得1.1 mA的电流值.器件的发射电流较稳定,且亮度达到1.8X103 cd/m2,十分适用于户外大屏幕显示.
关键词:
碳纳米管
,
场发射
,
三极管
李瑞
,
樊志琴
,
张丽伟
,
蔡根旺
,
杨培霞
硅酸盐通报
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在玻璃衬底上不同的氢稀释比下低温制备了微晶硅(μc-Si:H)薄膜.利用拉曼(Raman)散射谱研究显示当H2稀释比从95%升高到99%,所得硅膜晶粒大小从2.98 nm增加8.79 nm,晶化率从24%增加到91%;暗电导测试结果从1.32×10-6scm-1增加到7.24×10-3scm-1;沉积速率却大大降低.沉积出的薄膜在进行高温炉退火后,扫描电镜(SEM)显示样品表面孔洞变大增多,推测是氢逸出所致.
关键词:
微晶硅薄膜
,
PECVD
,
低温沉积
,
退火
樊志琴
,
李瑞
,
蔡根旺
,
张君德
,
王建星
人工晶体学报
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在不锈钢衬底上直接沉积碳纳米管膜.研究碳纳米管膜在放电过程中对其场发射性能的影响.通过XPS、Raman光谱等手段,分析碳纳米管膜在放电过程中sp2碳和sp3碳含量的变化,对碳纳米管膜场发射性能变化的根源进行研究.结果显示,在放电过程中,碳纳米管膜中sp2碳的含量减少,场发射性能变差.经过分析,我们认为发生这种现象的原因是:发射电子主要是从sp2碳发出的,sp2碳的减少直接影响了发射电子的减少,故其场发射性能降低.
关键词:
碳纳米管
,
MPCVD
,
场发射
,
拉曼光谱
樊志琴
,
李瑞
,
蔡根旺
,
杨培霞
,
程仁志
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.038
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,分别在不锈钢衬底上和刻线的镍膜上直接沉积了碳纳米管膜.通过SEM、拉曼光谱和XRD表征,讨论了不同衬底对碳纳米管膜生长的影响.结果表明:在一定条件下,可在镍膜上沉积垂直于衬底的高度取向的碳纳米管,但在不锈钢衬底上却长出取向无序的碳纳米管膜,这说明衬底对碳纳米管的取向生长起着关键作用.
关键词:
碳纳米管(CNTs)
,
镍膜衬底
,
不锈钢衬底
,
拉曼光谱
