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聚3-己基噻吩的光电性能研究

郝彦忠 , 蔡春立

功能材料

利用光电化学方法研究了聚3-己基噻吩的光电化学性质,其禁带宽度为1.89eV,同时确定了它的价带位置(-3.6eV)、导带位置(-5.4eV).研究发现聚3-己基噻吩属于直接跃迁型半导体,在本文条件下得到的最高IPCE值达5.2%

关键词: 聚3-己基噻吩 , 光电化学 , 导电聚合物

P3HT及CTCHT修饰纳米TiO2的光电性能研究

郝彦忠 , 蔡春立

高分子材料科学与工程

用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了聚3-己基噻吩(P3HT)及3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCHT)修饰纳米结构TiO2电极的光电转换性质.结果表明,经修饰后的纳米TiO2电极光电流明显增强,光电转换效率得到明显提高.在复合膜电极中存在p-n异质结,异质结的存在有利于先生电子-空穴对的分离,降低了电荷的反向复合几率,提高了光电转换效率.

关键词: 纳米结构TiO2 , 聚3-己基噻吩 , 3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物 , 光电化学 , 导电聚合物

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