许华嵘
,
吴立勇
,
施建荣
,
曹春海
,
蔡卫星
,
孙国柱
,
王相元
,
钱鉴
,
杨森祖
,
吉争鸣
,
程其恒
,
吴培亨
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2002.04.006
本文主要介绍了按照目前国际上制定的超导薄膜表面阻抗Rs标准测量方案(IEC/TC90)设计并制造的Rs标准测量系统,对实验过程中系统的细节作了改进,测试精度及可靠性作了分析,实验及结果证明该标准的可行性,同时说明了我们的测试系统符合国际超导薄膜表面阻抗Rs标准测量的要求.
关键词:
尤立星
,
吴培亨
,
吉争鸣
,
范世雄
,
许伟伟
,
蔡卫星
,
康琳
,
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.03.008
基于传统的mesa结构制备工艺,我们通过精确控制实验参数的手段,在Bi2Sr2CaCu2O8+x单晶上实现了仅含有少数几个结的本征结的制备工艺,结的临界电流具有很好的一致性.结的数目最少达到2个(包括表面结);结数目控制误差为±1个.
关键词:
高温超导
,
本征约瑟夫逊结
陈亚军
,
康琳
,
蔡卫星
,
施建荣
,
赵少奇
,
吉争鸣
,
吴培亨
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.03.004
在制备NbN/AlN/NbN隧道结的工艺过程中,为了获得具有优质单晶结构的NbN薄膜,我们在MgO(111)基片上探索了直流溅射法制备NbN薄膜的生长工艺条件,XRD研究分析表明,我们获得了单晶结构良好的NbN薄膜;为了支持作为上电极的NbN薄膜的生长,也需要良好的AlN薄膜用作势垒层,我们采用射频磁控溅射设备和纯净的Al靶对AlN薄膜进行了制备研究.实验结果表明,所获得的AlN薄膜具有六方c-轴取向,并讨论了衬底和薄膜界面处可能的结构情况.
关键词:
NbN
,
AlN
,
磁控溅射
,
XRD
,
c轴取向
施建荣
,
康琳
,
蔡卫星
,
陈亚军
,
吉争鸣
,
吴培亨
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.060
本文主要讨论磁控溅射设备制备的NbN/AlN/NbN三层结构的技术工艺,为制备All-NbN的 NbN/AlN/NbN SIS 隧道结作准备.我们在室温下利用直流磁控溅射工艺制备了单晶NbN薄膜,并对其超导电性做了初步的研究;又利用射频磁控溅射工艺制备了取向较好的AlN薄膜.我们利用磁控溅射方法制作NbN/AlN/NbN多层薄膜,然后对制备SIS隧道结进行了一些探索.
关键词:
NbN
,
AlN
,
NbN/AlN/NbN
,
磁控溅射
,
射频磁控溅射