蓝跃龙
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王宇
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郑少梅
,
赵程
材料热处理学报
研究了活性屏离子渗氮技术中,气体成分、主电压、温度、压强以及笼子尺寸对偏压伏安特性曲线的影响,并用气体放电理论对曲线做出了解释。实验结果表明,在H2或N2/H2气氛中,偏压的伏安特性曲线呈线性增长;而在纯N2气氛中,偏压的伏安特性曲线则呈非线性,并在250 V时出现拐点。研究还发现,在偏压一定的情况下,偏流会随着主电压和气压的升高而增大,随着温度的升高而减小,而笼子尺寸对偏压的伏安特性曲线的影响比较小。
关键词:
活性屏离子渗氮
,
主电压
,
偏压伏安特性
