朱阁
,
卢贵武
,
李英峰
,
蓝建慧
,
张军
,
郑庆彬
,
黄乔松
,
孙洵
,
夏海瑞
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.006
采用动力学蒙特卡罗方法,对在完整光滑界面上低过饱和度溶液中的晶体生长机制和动态过程进行计算机模拟,得到了晶体生长速率与溶液过饱和度之间的关系以及晶体生长的表面形态.对以二维成核为主要生长机制的动力学生长规律进行分析,发现了二维成核生长的生长死区以及单核生长转变为多核生长时的过饱和度临界值,讨论了热粗糙度、表面扩散、台阶平均高度以及表面尺寸对晶体平均生长速率的影响.
关键词:
蒙特卡罗模拟
,
生长机制
,
晶体表面形态
,
晶体生长动力学
