李果
,
蒲明华
,
孙瑞萍
,
王文涛
,
张欣
,
武伟
,
雷鸣
,
张红
,
杨烨
,
程翠华
,
赵勇
稀有金属材料与工程
分别采用两种高分子辅助化学溶液沉积方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上制备了涂层导体CeO2缓冲层.结果表明,制得的CeO2缓冲层双轴织构良好,表面无裂纹.比较两种不同的高分子辅助方法,利用聚甲基丙烯酸辅助制得的CeO2表面平整,均方根粗糙度在1 μm×1μm的范围内仅为2 nm,粗糙度远小于利用聚乙烯醇辅助沉积而得的CeO2缓冲层.
关键词:
CeO2缓冲层
,
高分子辅助
,
化学溶液沉积
雷鸣
,
李果
,
孙瑞萍
,
蒲明华
,
王文涛
,
武伟
,
张欣
,
张红
,
张勇
,
程翠华
,
赵勇
稀有金属材料与工程
用一种新的化学溶液沉积方法在双轴织构NiW (200)合金基底上制备了涂层导体用稀土氧化物RE2O3(RE=Y, Sm, Eu, Dy, Yb)缓冲层.分别利用X射线衍射,扫描电子显微镜,原子力显微镜对制得的RE2O3缓冲层的相结构、织构、表面形貌和平整度进行了检测.结果表明,RE2O3缓冲层具有较好的双轴织构,表面平整无裂纹.
关键词:
RE2O3缓冲层
,
化学溶液沉积
,
双轴织构
宋文海
,
姜柳笛
,
赵兵
,
蒲明华
,
吴兴才
,
黄卫东
,
孙玉平
,
杜家驹
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.06.014
研究了不同含量纳米银掺杂的(Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3Ox块材.DTA分析表明纳米银掺杂使材料熔点降低,加速了高Tc相的形成.磁场下R-T展宽测试表明,纳米银掺杂大大提高了磁通蠕动激活能,其中最佳掺杂15wt%Ag时激活能提高5~6倍;掺杂样品的钉扎能U(H)随磁场降低比非掺杂样品要慢,改善了磁场下的传输性能.交流磁化率测量表明纳米银掺杂使晶间损耗峰向高温移动20K,说明纳米银掺杂改善了晶界弱连接,并大大增强了晶界的涡旋钉扎能力.
关键词:
王庆阳
,
闫果
,
刘国庆
,
李金山
,
张平祥
,
卢亚峰
,
杨烨
,
蒲明华
,
赵勇
稀有金属材料与工程
以无定形碳粉末作为掺杂物质,通过固相烧结的方法,在750℃,高纯氩气保护下,热处理2 h制备了MgB2-xCx(x=0,0.05,0.10,0.20,0.30)超导块材.用X射线衍射(XRD)仪,扫描电子显微镜(SEM)和物性测试仪(PPMS)对样品的微观结构和超导电性进行了系统分析.结果显示,在750℃热处理条件下,有部分碳进入MgB2的晶格中,其余碳处于MgB2的晶界处.少量碳掺杂可以有效细化MgB2晶粒,并改善MgB2的超导电性.MgB1.9C0.1块材的临界电流密度(Jc)在20 K,3 T条件下达到8×104A/cm2,表明无定形碳掺杂可有效提高MgB2的磁通钉扎.
关键词:
MgB2超导块材
,
无定形碳粉
,
掺杂
,
显微结构
刘国庆
,
熊晓梅
,
王庆阳
,
闫果
,
刘春芳
,
卢亚锋
,
杨烨
,
蒲明华
,
赵勇
稀有金属材料与工程
采用固态反应法制备了纯MgB2和C掺杂MgB2超导体.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和物性测试仪(PPMS)研究了纯MgB2超导块材和C掺杂的MgB2超导块材的水解行为对微观结构和超导电性的影响.结果表明,纯MgB2和C掺杂的MgB2超导体与水之间存在明显的化学反应.C掺杂部分进入MgB2的晶格中,其余部分以第二相粒子形式存在于晶界处,使得首先发生于晶界的水解反应受到抑制,从而提高了MgB2超导体的水解稳定性,减缓了水解反应速度.
关键词:
MgB2超导体
,
C掺杂
,
水解
谢宝海
,
吴晓祖
,
刘向宏
,
陈自力
,
蒲明华
,
李晓光
,
曹烈兆
,
周廉
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.01.003
利用Nb片和Ti片交替组配加工,经扩散反应制备了Ti含量从43WT%到57WT%之间的三种不同成份的NbTi超导线.测量了三种不同成份的临界电流密度Jc,讨论了在磁场下不同Ti含量对NbTi线临界电流密度Jc的影响,并对磁通钉扎机制进行了分析.通过扫描电镜(SEM)观察了Nb/Ti界面扩散形态及微结构,并运用多源标度分析法[1]对不同成份的NbTi超导线进行了磁通钉扎力密度随磁场变化曲线的拟合.结果表明:随着含Ti量的增加,其临界电流密度在低场时很高,而在高场时的性能偏低,且下降迅速,而含Ti量低的超导线在高场时的性能更具有优势;超导线在不同磁场下的性能是由点钉扎和面钉扎两种钉扎机制共同作用决定的.
关键词:
NbTi超导体
,
临界电流密度
,
磁通钉扎
孙瑞萍
,
李果
,
蒲明华
,
王文涛
,
张欣
,
武伟
,
杨烨
,
赵勇
稀有金属材料与工程
采用高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上沉积了厚度大于160 nm的Eu0.3Ce0.701.85-x(ECO)单一缓冲层.制得的ECO缓冲层双轴织构良好,表面平整、无裂纹.同时,Eu的掺杂提高了CeO2单一缓冲层薄膜的临界厚度.在沉积了ECO缓冲层的NiW基带上外延生长的YBCO薄膜,超导零电阻转变温度Tc0=86K,临界电流密度达到Jc(O T,77 K)=0.4 MA/cm2.本研究提供了一种操作简单、成本低廉、性能优良的制备涂层导体单一缓冲层的方法.
关键词:
Eu掺杂
,
CeO2单一缓冲层
,
高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)
刘洪涛
,
吴晓祖
,
刘向宏
,
蒲明华
,
周廉
,
稀有金属材料与工程
采用棒基组合的装配方法,用热挤压和冷加工相结合的工艺制备了岛状Ti5Nb人工钉扎中心NbTi超导体,其中Ti5Nb体积含量为10%.通过对此超导体进行详细的磁通钉扎机制分析,认为样品的磁通钉扎力特征主要由正常相钉扎和△κ钉扎相结合的机制决定.根据分析的结果,采用多源标度方法,很好地拟合了不同线径样品的磁通钉扎力密度随磁场变化的曲线.拟合的结果表明:样品在较低场下的性能主要由正常相钉扎机制决定,而在较高场下的性能主要由△κ钉扎机制决定.并且随着线径的减小,正常相钉扎力密度和△κ钉扎力密度均有不同程度的提高.
关键词:
NbTi多芯复合体
,
人工钉扎中心
,
正常相磁通钉扎机制
,
△κ磁通钉扎机制