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COB封装中芯片在基板不同位置的残余应力

孙志国 , 黄卫东 , 蒋玉齐 , 罗乐

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.016

利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在基板靠近边的位置和中心位置时应力水平接近,但是靠近基板一角的位置应力较大,而且在热处理过程中应力出现"突跳"和"尖点".

关键词: 硅压阻传感器 , 残余应力 , 位置 , 失效

高量程MEMS加速度计灌封后的动态响应

蒋玉齐 , 程迎军 , 张鲲 , 李昕欣 , 罗乐

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.022

对双悬臂梁高量程 MEMS加速度传感器的封装结构进行了 1× 105g峰值的半正弦加速度 冲击载荷下的有限元响应分析.灌封胶弹性模量的变化对加速度计的输出信号(输出电压、悬臂 梁的挠度)的影响可以忽略.输出电压曲线的峰值与解析解接近.加速度计的悬臂梁表现为有阻 尼下的受迫振动,并表现出悬臂梁的固有频率特性.输出信号的峰值与加速度载荷的峰值均呈很 好的线性关系.灌封胶的弹性模量大于 4GPa时胶已经足够硬,适宜用于保护芯片.

关键词: 高量程加速度计 , 灌封 , 有限元分析 , MEMS

Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺研究

杜茂华 , 蒋玉齐 , 罗乐

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.015

研究了 Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺,对等离子体处理、键合气氛、压力以及 Sn层厚度等因 素对焊层的键合强度的影响进行了分析和优化.实验表明,等离子体处理过程的引入是保证键合 质量的重要因素,在功率 500W、时间 200s的处理条件下,得到了最大的键合强度;而键合气氛对键 合质量有显著的影响,在真空环境下,能得到最佳的键合质量;压力对键合质量的影响较小,施加较 小的压力( 0.05MPa)即能得到较大的剪切强度;而 Sn层厚度对键合质量的影响极小,而较薄的厚度 能够缩短键合时间.在最优化条件下,得到的键合强度值全部达到了美军标规定的 6.25MPa的强 度要求(对于 2mm× 2mm芯片).

关键词: 芯片键合 , 等温凝固 , Cu/Sn体系 , 微结构

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