蒋洪川
,
杨仕清
,
张万里
,
彭斌
,
张文旭
,
王豪才
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2002.01.008
本文利用三维Mobius反演变换得到了金属Nd原子间的相互作用势和H原子间的相互作用势,利用组合规则得到了Nd-H原子间的相互作用势,进而利用正则系统分子动力学算法研究了在一定加载应力强度因子下氢在Nd晶体中的行为,模拟结果表明,H在Nd晶体裂尖富集成许多氢原子团簇或氢气团簇,这在一定程度上解释了N...
关键词:
Nd-Fe-B
,
分子动力学
,
阻氢涂层
,
氢脆
,
γ-辐照
张万里
,
彭斌
,
唐晓莉
,
蒋洪川
,
张怀武
功能材料
采用RF反应溅射法制备了室温下TMR值达6.5%的NiFe/Al2O3/Co磁性隧道结.样品制备采用一系列的掩模,Al2O3层的制备采用RF反应溅射并原位热氧化方法,隧道结的面积为0.2mm×0.2mm.样品的Ⅰ-Ⅴ特性曲线说明了样品中隧道效应的存在,利用XPS分析了样品界面特性及样品成分随膜厚的变...
关键词:
磁性隧道结
,
RF反应溅射
,
隧道磁电阻
苏鼎
,
张万里
,
蒋洪川
,
汤如俊
,
彭斌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.010
采用直流磁控溅射方法在柔性Kapton基片上沉积了FeCoSiB薄膜,研究了偏置磁场、溅射气压以及测试频率对薄膜应力阻抗效应的影响规律.结果表明,本文中优化的溅射气压为1.5 Pa,强的偏置磁场可形成强的横向各向异性,从而显著提高材料的应力阻抗效应.随着测试频率从0.1MHz升高到30 MHz,薄膜...
关键词:
柔性基底
,
FeCoSiB非晶磁弹性薄膜
,
应力阻抗效应
彭斌
,
蒋洪川
,
张文旭
,
张万里
,
杨仕清
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.018
研究了厚膜永磁阵列微致动器中的磁场分布,并研究了永磁阵列单元几何尺寸对微致动器电磁力的影响.结果表明,厚膜永磁阵列单元高宽比和磁体单元间隔对微致动器电磁力影响较大,磁体单元高宽比为0.7是一个比较合适的尺寸.
关键词:
永磁阵列
,
磁场分布
,
电磁力
,
微致动器
谢巧英
,
张万里
,
蒋洪川
,
沈博侃
,
彭斌
功能材料
采用磁控溅射方法,在弯曲的玻璃基片上制备出受张应力作用的FeCoSiB非晶薄膜,研究了张应力大小对FeCoSiB薄膜的磁畴、矫顽力、剩磁、各向异性场等磁特性的影响.结果表明,薄膜的畴结构显著依赖于张应力,其磁畴宽度随张应力增加而增加;张应力导致FeCoSiB薄膜内形成较强的磁各向异性,其各向异性随应...
关键词:
FeCoSiB非晶薄膜
,
应力
,
磁各向异性
,
磁畴
,
矫顽力
王超杰
,
蒋洪川
,
张万里
,
向阳
,
司旭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.017
采用反应直流磁控溅射法在Al_2O_3陶瓷基片上制备TaN薄膜,研究了氮流量(N_2/(N_2+ Ar))对TaN薄膜微结构及性能的影响.结果表明,随氮流量的增大,TaN薄膜的氮含量、电阻率、方阻以及TCR的绝对值逐渐增大,而沉积速率逐渐降低.当N_2流量较低(2%～4%)时,TaN薄膜中主要含有电...
关键词:
TaN薄膜
,
TCR
,
磁控溅射
,
氮流量
张万里
,
蒋洪川
,
杨国宁
,
彭斌
,
张文旭
,
张永强
功能材料
采用DC磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜,并进行磁场退火热处理以消除残余应力和形成磁织构,提高薄膜的应力阻抗效应.薄膜的磁性能采用振动样品磁强计(VSM)进行测试,采用HP4275A型阻抗分析仪在200kHz～10MHz频率范围内测试薄膜的...
关键词:
磁弹性
,
应力阻抗效应
,
FeCoSiB
,
FeCoSiB/Cu/FeCoSiB
,
磁场热处理
张勤勇
,
蒋洪川
,
张万里
,
张金平
,
杨仕清
功能材料
基于轻稀土元素-Nd与过渡金属元素-Co之间的铁磁耦合作用提高电镀CoNiMnP永磁薄膜阵列的磁性能,在电镀时引入稀土Nd元素进入CoNiMnP永磁薄膜阵列中,通过改变镀液中NdCl3的浓度而改变CoNdNiMnP薄膜中的Nd含量.对镀液中NdCl3浓度与薄膜磁性能的关系进行了分析与测试,结果表明:...
关键词:
CoNdNiMnP永磁薄膜阵列
,
电镀
,
垂直各向异性
,
铁磁耦合
