郑泽伟
,
沈波
,
张荣
,
桂永胜
,
蒋春萍
,
马智训
,
郑国珍
,
郭少令
,
施毅
,
韩平
,
郑有炓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.021
通过低温和高磁场下的磁输运测量,首次在Al0.22Ga0.78N/GaN异质结中观察到了舒勃尼科夫-德哈斯振荡的双周期特性,发现在Al0.22Ga0.78N/GaN异质结的三角势阱中产生了二维电子气(2DEG)的第二子带占据,发生第二子带占据的阈值2DEG浓度估算为7.2×1012 cm-2,在阈值2DEG浓度下第一子带和第二子带能级的距离计算为75 meV.
关键词:
异质结
,
舒勃尼科夫-德哈斯振荡
,
第二子带占据
李景
,
顾济华
,
钱波
,
蒋春萍
,
马仙梅
材料导报
采用激光脉冲沉积法(PLD)在石英玻璃上成功制备了一系列MgZnO薄膜.并通过选用高Mg含量的靶材,成功将薄膜的吸收边调节至极紫外区域(200～280nm),经计算MgZnO薄膜的带隙高达5.46eV.进一步研究这种高Mg含量的MgZnO薄膜的结构特性,对薄膜进行了热退火处理,并首次观察到依赖于退火温度变化的(220)取向衍射峰的变化.
关键词:
MgZnO薄膜
,
禁带宽度
,
(220)取向
,
退火温度
