蒋军
,
江炳尧
,
任琮欣
,
张福民
,
冯涛
,
王曦
,
柳襄怀
,
邹世昌
稀有金属材料与工程
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能.采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征.实验结果表明:镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能,并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理.
关键词:
电子发射
,
离子束辅助沉积
,
钼栅极
,
铂膜
蒋军
,
江炳尧
,
郑志宏
,
任琮欣
,
冯涛
,
王曦
,
柳襄怀
,
邹世昌
功能材料
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能.实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理.
关键词:
抑制电子发射
,
铪
,
离子束辅助沉积
,
钼栅极
江炳尧
,
蒋军
,
冯涛
,
任琮欣
,
张正选
,
宋志棠
,
柳襄怀
,
郑里平
功能材料
采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3.若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向.因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜.本文采用Monte Carlo方法模拟低能Ar+离子注入 Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析.
关键词:
离子束辅助沉积
,
Pt膜
,
择优取向
曹明贺
,
孙越魁
,
蒋军
,
刘韩星
,
袁俊
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00640
用常压烧结和热压烧结法分别制备了多晶Ca1+xB6(x=-0.02、0、0.02)陶瓷样品并对其铁磁性能进行系统分析. 结果表明, 在烧结温度低于1500℃范围内, 不论样品富Ca或赤Ca, 所有的样品均呈现铁磁性能; 另外, 两种方法制备的陶瓷样品虽然气孔率明显不同, 而其铁磁性能并没有显著差异, 认为CaB6样品存在的铁磁性机制不决定于样品中的Ca空位浓度和气孔率.
关键词:
多晶CaB6陶瓷
,
ferromagnetic
,
porosity
,
hot press sinter
蒋军
,
朱德贵
,
王良辉
,
张波
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.04.001
用TiH2, Ni和B4C作为原料, 采用热等静压法制备了TiB2-TiC复相陶瓷材料, 此方法工艺简单, 成本较低. XRD研究表明在样品中只存在TiB2和TiC两相; TEM研究结果表明TiB2晶粒为规则的多边形和板条状, 添加剂Ni位于TiB2/TiC交界处; 显微硬度、断裂韧性和SEM断口形貌的研究结果表明添加剂Ni显著提高了TiB2-TiC复相陶瓷材料的综合性能.
关键词:
原位合成
,
复相陶瓷材料
,
增韧机制
,
热等静压
,
TiB2
,
TiC
曹明贺
,
孙越魁
,
蒋军
,
刘韩星
,
袁俊
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.03.020
用常压烧结和热压烧结法分别制备了多晶Ca1+xB6(x=-0.02、0、0.02)陶瓷样品并对其铁磁性能进行系统分析.结果表明,在烧结温度低于1500℃范围内,不论样品富Ca或赤Ca,所有的样品均呈现铁磁性能;另外,两种方法制备的陶瓷样品虽然气孔率明显不同,而其铁磁性能并没有显著差异,认为CaB6样品存在的铁磁性机制不决定于样品中的Ca空位浓度和气孔率.
关键词:
多晶CaB6陶瓷
,
铁磁性能
,
气孔率
,
热压烧结
