董茂进
,
陈朝阳
,
范艳伟
,
丛秀云
,
王军华
,
陶明德
功能材料
为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料,采用开管涂源的方法,对n型单晶硅进行Au、Ni两种过渡族金属的双重高温掺杂,得到对温度敏感的补偿硅材料,并对其进行测试和分析.掺杂后得到的硅单晶热敏材料,其导电类型仍为n型,且电阻率较低,为欠补偿,测试结果表明其常温电阻率ρ25=64～416Ω·cm,温度敏感系数(B值)在5300K左右;根据半导体中深能级杂质理论推导计算得到的材料的B值,与实验值基本一致.
关键词:
双重掺杂
,
深能级杂质
,
Au
,
Ni
,
热敏特性
董茂进
,
张玲
,
王多书
,
熊玉卿
,
王济洲
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2015.01.004
以光学滤光片薄膜边缘应力作为对象,研究了Ge/ZnS单、多层光学薄膜应力的变化规律.通过实验研究了离子束轰击能量以及真空退火温度等因素对Ge/ZnS光学薄膜应力类型、大小、变化及其分布的影响规律.ZnS薄膜的应力为压应力,采用离子束辅助工艺后薄膜边缘应力变得均匀;真空退火使ZnS薄膜的应力减小为原来的一半.通过优化沉积参数和张应力、压应力薄膜的组合降低了Ge/ZnS多层光学薄膜的应力,结果表明其平均应力分别为0.1 MPa,而且处于压应力状态.
关键词:
光学薄膜
,
边缘效应
,
应力模型
