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感应加热制备太阳能级铸造准单晶硅熔体流动行为研究

高忙忙 , 薛子文 , 李进 , 董法运 , 梁森 , 李海波 , 王丽

人工晶体学报

用专业晶体生长软件(CG-Sim)对制备太阳能级准单晶硅用真空感应铸锭炉的热场结构以及在熔炼过程中硅熔体的流动行为进行了研究.结果表明,熔体中电磁力是熔体流动的驱动力之一,并且感应线圈与熔体高度的比值(k)对熔体内电磁力的大小和分布具有很大的影响,当k值为1.2时,熔体内形成一个上下贯通的涡流,有利于杂质的挥发.同时,当感应线圈频率在3000~5000 Hz范围时,熔体对流强度较低,可以增加坩埚-熔体边界层的厚度,降低熔体中的氧含量.

关键词: 准单晶硅 , 感应熔炼 , 热场结构 , 熔体对流

加热器/坩埚相对位置对φ200mm单晶硅生长过程中温度场和晶体质量的影响

高忙忙 , 朱博 , 李进 , 景华玉 , 董法运 , 梁森 , 李海波

硅酸盐通报

采用CGSim晶体生长软件,对现有工业单晶炉中的加热器位置进行优化并分析了其对热场、固液界面、晶体中温度梯度和氧含量的影响.结果表明,随加热器的上移,功率消耗略有降低,熔体内的温度梯度逐渐下降,在高埚位的生长条件下可以适当提升拉晶速率;同时,固液界面也趋于平坦,晶体中的温度梯度有所减少,从而可以有效地抑制缺陷的形成.另外,晶体中的氧含量也有一定程度的下降.可以得出,在晶体等径生长初期,提高加热器的位置是降低晶体生长成本和提升晶体品质的途径之一.

关键词: 单晶硅 , 温度梯度 , 固液界面 , 氧含量

拉锭速度对铸造准单晶硅固液界面、氧含量及V/Gn值的影响

李进 , 薛子文 , 高忙忙 , 董法运 , 梁森 , 李海波

硅酸盐通报

太阳能级铸造准单晶硅具有较高的光电转换效率和低的生产成本,是一种具有竞争力的晶硅类太阳能电池材料.本文采用CGSim晶体生长软件,系统分析了拉锭速度对固液界面,晶体氧含量和V/Gn值的影响.结果表明,一方面,随着拉锭速度的增大,固液界面曲率逐渐加大,增加了铸锭边缘区域多晶的形成几率;另一方面,熔体温度逐渐降低,导致晶体氧含量会逐渐减少;同时,拉锭速度大于10 mm/h时,固液界面处V/Gn值均大于临界值.最终,最佳的铸造准单晶硅拉锭速度为10~15 mm/h.

关键词: 准单晶硅 , 固液界面 , 氧含量 , V/Gn

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