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低温MH/Ni电池负极材料的研究方法

董桂霞 , 朱磊 , 杜军 , 吴伯荣 , 陈晖 , 简旭宇 , 刘明义

材料导报

制约MH/Ni电池低温性能的主要因素是贮氢合金负极材料.综述了低温贮氢合金负极材料的研究进展,分析了影响电极材料低温性能的各方面因素,给出了提高其低温性能的具体方法,其中包括元素替代、结构设计及制备工艺等的运用.这些将有益于今后研制和生产适用于宽温度范围的MH/Ni电池负极材料.

关键词: MH/Ni电池 , 负电极 , 贮氢合金 , 低温性能

陶瓷薄片的流延成型工艺概述

宋占永 , 董桂霞 , 杨志民 , 马舒旺

材料导报

概述了流延成型工艺的特点及发展历程,比较了水基流延成型与传统流延成型技术的优缺点.针对特定的流延成型工艺过程进行了详细的介绍和理论分析,同时介绍了几种新型的流延工艺.最后对流延成型技术的研究和应用进行了展望,并提出了自己的见解.

关键词: 陶瓷 , 传统流延成型 , 水基流延成型

Pb2Nb2O7-NaNbO3-SiO2纳米复合材料的制备及其介电性能

杜军 , 唐群 , 罗君 , 董桂霞

中国有色金属学报

通过辊压成型及随后的可控结晶过程,制备Pb2Nb2O7 -NaNbO3-SiO2系纳米复合材料.X射线衍射分析结果表明:温度为750~900 ℃时,Pb2Nb2O7,NaNbO3和PbNb2O6晶相可在玻璃基体中析出;Pb2Nb2O7相在750 ℃结晶析出,850 ℃消失;NaNbO3为850 ℃时的主晶相;而PbNb2O6相的晶化温度为850 ℃;由可控结晶技术制备的玻璃陶瓷介电性能受热处理过程中所形成的相组成影响很大;试样在850 ℃退火3 h,具有最高的介电常数(>600).微观结构分析结果表明,残余玻璃相填充在纳米晶粒的晶界处.电镜分析进一步发现,850 ℃退火3 h的试样中不均匀地分布着纳米NaNbO3和PbNb2O6颗粒,这是材料具有高介电常数的主要原因.

关键词: 玻璃陶瓷 , 铌酸盐 , 介电性能 , 显微结构 , 电介质

高温宽滞后Cu-13.5Al-2.5Mn-1.36Zn合金的晶体结构分析

董桂霞 , 马晓丽

材料导报

应用透射电子显微镜(TEM)对Cu-13.5Al-2.5Mn-1.36Zn合金的晶体结构进行了分析,结果表明,该合金的亚结构与常见的18R及2H马氏体中的堆垛层错及孪晶条纹有很大的不同.在这种合金的马氏体变体中,可至少观察到两种面缺陷以相近的密度分布,合金中各变体以多种形式进行协作,不同变体的内部亚结构相差很大,且有些变体在界面处以相当牢固的方式进行连接.以上这些结构特征可能与该合金的高逆相变温度及宽相变滞后有关.

关键词: Cu-13.5Al-2.5Mn-1.36Zn合金 , 相变温度 , 相变滞后 , 晶体结构分析

超高压熔渗烧结法制备金刚石/铜复合材料

董丽 , 董桂霞 , 刘秋香 , 张茜 , 李尚劼

材料热处理学报

采用超高压熔渗法制备金刚石/铜复合材料,研究了烧结温度、烧结压力及保温时间等因素对复合材料成分、界面状态和热导率的影响,利用XRD、SEM对金刚石/铜复合材料的相组成和微观形貌进行分析.结果表明:复合材料的相对密度随着烧结温度、烧结压力及金刚石颗粒粒径的增大而增加,且熔渗合金的复合材料的热导率高于熔渗铜的复合材料的热导率.当金刚石粒径为200 μm,熔渗烧结温度在1300℃,压力为5 GPa,保温5 min时,得到最高的热导率,为870 W/(m·K).

关键词: 超高压烧结 , 金刚石/铜复合材料 , 热导率

BaO-SiO2-B2O3玻璃添加剂对Ba0.4Sr0.6TiO3陶瓷致密度和介电性能的影响

张庆猛 , 董桂霞 , 崔建东 , 杜军

材料导报

研究了BaO-SiO2-B2O3(BSB)玻璃添加剂对Ba0.4Sr0.6TiO3陶瓷的烧结致密化和介电性能的影响.研究结果表明:添加BSB玻璃可以促进Ba4Sr0.6TiO3陶瓷的烧结,随着玻璃添加量的增加,致密化温度降低.添加4%(质量分数)玻璃的Ba0.4Sr0.6TiO3陶瓷在1050℃烧结致密(最大相对密度达到95.8%),介电常数达到最大,介电损耗最小.适量的玻璃添加使得样品的介电常数随温度变化平坦,提高了介温稳定性.

关键词: 钛酸锶钡 , 玻璃添加剂 , 致密化 , 介电性能

低介电损耗高耐压强度BST介电陶瓷的研究

董桂霞 , 王磊 , 刘伟 , 杜军 , 毛昌辉 , 崔建东

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.04.014

为了提高钛酸钡基陶瓷的击穿强度及降低介电损耗, 用传统粉末冶金法制备了BaxSr1-xTiO3陶瓷(x=1, 0.7, 0.6, 0.5, 0.4, 0.3, 0.2, 0.1).X射线衍射(XRD)分析结果表明, 随着x的增加, BaxSr1-xTiO3陶瓷的晶胞体积增大.且在室温条件下(约25 ℃), 当x=1~0.7时其晶体结构为四方相结构, 当x=0~0.6时, 为立方结构.材料的介电常数及介电损耗随着x的增大而增大;而其频率稳定性则随着x的增大而减小.在Ba0.2S0.8TiO3粉体中以机械混合的方式添加ZnO后, 随着ZnO添加量的增加, 陶瓷的介电常数、击穿强度都随着增大, 而介电损耗则减小, 当ZnO的加入量为1.6% (质量分数)时, 材料的介电常数和击穿强度达到最大值, 而介电损耗最小.

关键词: 钛酸锶钡(BST) , 击穿强度 , 介电损耗 , ZnO

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