周朝迅
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廖源
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周献亮
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余庆选
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董振超
低温物理学报
我们通过化学气相沉积法成功地在石英、蓝宝石和SiO2/Si衬底表面生长出单层二硫化钼,然后将SiO2/Si表面的样品转移到金膜和另一片SiO2/Si衬底表面,并对这四种不同衬底上的单层二硫化钼的荧光光谱和拉曼光谱进行研究.结果发现不同的衬底可以通过两种方式影响二硫化钼的拉曼和荧光光谱:一是应力作用使E21g拉曼特征峰发生移动,同时改变直接带隙的带宽;二是不同类型的掺杂影响A1g拉曼特征峰位,并改变光跃迁中的中性激子辐射复合和带电激子辐射复合过程的比重,从而使荧光光谱中的A1峰位发生移动.
关键词:
单层二硫化钼
,
荧光光谱
,
拉曼光谱
,
应力
,
掺杂
