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ZnGeP2多晶料合成与晶体生长

林彦霆 , 顾庆天 , 刘宏 , 张怀金 , 葛文伟 , 房昌水 , 胡小波 , 王继扬

功能材料

以99.999%的锌、锗和红磷为原料通过直接化合的方法合成ZnGeP2多晶料,采用布里奇曼法通过自发成核方式生长出尺寸为Ф7mm×25mm的ZnGeP2晶体.X射线粉末衍射实验表明合成的多晶料的成分是ZnGeP2,所获ZnGeP2晶体的结构属于四方晶系,空间群I42d.X射线摇摆曲线表明所得晶体完整性较好.用莫氏硬度计测得ZnGeP2晶体的莫氏硬度为6.5.测量了晶体的热重和差热曲线,证明在室温~800℃的范围内晶体热学性质稳定.

关键词: ZnGeP2 , X射线粉末衍射 , X射线摇摆曲线 , 热学性质

LGS晶体的化学腐蚀及缺陷分布

黄庆捷 , 孔海宽 , 李军 , 高磊 , 葛文伟 , 张怀金 , 胡小波 , 江怀东 , 王继扬

功能材料

采用提拉法生长得到LGS单晶,采用磷酸作腐蚀剂,对LGS晶体做了一系列腐蚀实验.实验结果表明:对于不同方向晶面,腐蚀液的配比和腐蚀时间等条件各不相同.根据腐蚀坑可以判定.其极轴是二次轴[1120]方向,并可具体确定极轴方向.关于腐蚀坑的分布可以判定,在现行条件下生长的晶体具有较高的质量.

关键词: La3Ga5SiO14 , 化学腐蚀 , 缺陷 , 提拉法

BaWO4多晶料的合成与优质单晶的生长

葛文伟 , 张怀金 , 王继扬 , 刘均海 , 徐现刚 , 胡小波 , 刘宏 , 尹鑫 , 蒋民华

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.009

以99.99%的BaCO3和WO3为原料通过固相反应直接合成BaWO4多晶料,采用提拉法沿a轴和c轴均可生长出φ22mm×80mm的无色透明的BaWO4单晶.X射线粉末衍射实验确定所获BaWO4晶体的结构属于四方晶系,空间群I41/a.通过浮力法测得其密度为6.393g/cm3.用莫氏硬度计测得BaWO4晶体的莫氏硬度为4.用V型棱镜法测得BaWO4晶体的折射率在1.84左右.

关键词: BaWO4晶体 , 固相反应 , 提拉法 , X射线粉末衍射 , 折射率

0.94Na1/2 Bi1/2 TiO3-0.06BaTiO3无铅压电单晶的生长及电学性能研究

葛文伟 , 赵祥永 ,

人工晶体学报

采用坩埚下降法成功生长出尺寸达φ15 mm×50 mm的0.94Na1/2Bi1/2TiO3-0.06BaTiO3(NBBT94/6)无铅压电单晶.利用X射线荧光沿纵向对晶体棒成分分析表明:Na+、Bi3+、Ti4+离子的含量沿纵向波动较小,而Ba2+离子的含量却波动较大.XRD结构分析表明,晶体棒的中、下部分属于三方相钙钛矿结构,而上部转变为四方相钙钛矿结构.详细研究晶体棒中部0.952Na1/2Bi1/2TiO3-0.048BaTiO3(NBBT95.2/4.8)的介电及压电行为表明:非自发极化方向[001]、[110]样品的退极化温度Td分别为200℃和150℃,具有明显的结晶学方向依赖性,且在Td附近表现出典型的介电弛豫行为;在3~5 kV/mm电压极化下,[001]、[110]方向样品的最大压电系数d33分别为165 pC/N、110 pC/N,机电耦合系数kt分别为49.8%、45.0%.

关键词: 钛酸铋钠 , 无铅 , 晶体生长 , 介电弛豫 , 压电性能

熔体温度对负离子配位多面体生长基元聚集体结构的影响

仲维卓 , 罗豪甦 , 葛文伟 , 金蔚青 , 华素坤

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.001

据Na2SiO3与BaB2O4晶体和熔体的高温拉曼光谱测试结果综合分析后提出:熔体的温度对负离子配位多面体生长基元相互联结的聚集体结构有影响.在高温熔体中,高电价、离子半径小的阳离子配位多面体往往孤立存在.当熔体过冷度大时,孤立的负离子配位多面体顶角上的氧与低电价、离子半径大的阳离子配位构成大维度的聚集体.同质异构晶体的熔体拉曼谱都显示出相同的孤立负离子配位多面体振动峰.

关键词: 高温拉曼谱 , 负离子配位多面体生长基元 , 同质异构 , 聚集体

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