莫晓亮
,
杨剑
,
姚彦
,
徐华华
,
楼成飞
,
王大伟
,
卢嘉
,
陈国荣
功能材料
提出了一种新的制备有机金属配合物纳米线的方法,即饱和蒸气反应法,并解释了它的生长机理.用这种方法制备的Ag(TCNQ)[TCNQ,tetracyanoquinodimethane]纳米线(棒)基本垂直于基板.截面近似呈方形,边长＜100nm,长度(高度)可控,生长温度低(≤120℃),因而在实际应用过程中容易与其它工艺兼容.在STM针尖和导电AFM针尖电场作用下这种纳米线(棒)具有电双稳特性,预期在纳米电子学方面有广泛的应用前景.
关键词:
纳米线
,
Ag(TCNQ)
,
电双稳
曹冠英
,
何培松
,
叶春暖
,
楼成飞
,
莫晓亮
,
杨剑
,
姚彦
,
孙大林
,
陈国荣
功能材料
采用真空饱和蒸气反应法制备了一种新型的金属有机络合物Ag(TCNQ)的纳米线阵列;首次应用石英晶体微量秤(QCM)的方法评价其贮氢性能,发现在常温常压下其重量贮氢量可达1.34%;推测其贮氢机理是由于Ag(TCNQ)疏松的晶体结构及纳米线阵列较大的比表面积.
关键词:
贮氢
,
金属有机络合物
,
Ag(TCNQ)纳米线
,
真空饱和蒸气反应法
,
石英晶体微量秤(QCM)
叶春暖
,
莫晓亮
,
徐华华
,
韩成赫
,
曹冠英
,
孙大林
,
陈国荣
功能材料
采用气-液-固反应方法在硅片上制备了取向金属有机配合物Ag(TCNQ)纳米线.样品的XRD特征峰与Ag(TCNQ)相对应;SEM形貌显示纳米线几乎垂直基片生长,直径在50～300nm,长度在2～50μm.初步对其场发射性能进行了研究,所得Ag(TCNQ)纳米线的最低场发射开启电压约为1.5Vμm-1,最大发射电流密度约为0.03mAcm-2,此时对应的电场约为2.5Vpm-1.由测量所得I-Ⅴ曲线得到的FoWler-Nordheim(F-N)曲线近似为一条直线,说明样品具有场发射性能.重复实验表明,Ag(TCNQ)纳米线的场发射具有一定的稳定性.结合纳米线制备工艺,初步分析了场发射性能的影响因素.
关键词:
气-液-固反应
,
Ag(TCNQ)纳米线
,
场发射
李先懿
,
郑凯波
,
陈冠雨
,
莫晓亮
,
孙大林
,
陈国荣
功能材料
用溶液法制备了CuTCNQ纳米线.用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了样品的结构及形貌,用拉曼光谱(Raman)研究了CuTCNQ纳米线的电荷转移情况.研究了其不同温度下的电学特性.CuTCNQ纳米线的长度为1～8μm,直径50～300nm.XRD结果显示制备得到的CuTCNQ为Ⅰ相.研究表明,在外加电场作用下,单根CuTCNQ纳米线表现出可逆的电开关特性,阻态转变前后其电阻的变化达3个数量级.高低阻态转变电场阈值约为1.8 V/μm.另外,CuTCNQ纳米线的电阻随着温度的降低而增大,当温度低于临界值160K时,低阻态的CuTCNQ纳米线将出现负阻效应.
关键词:
金属有机配合物
,
CuTCNQ
,
纳米线
,
电荷转移
,
开关特性
,
负阻效应
莫晓亮
,
姚彦
,
范智勇
,
徐华华
,
杨剑
,
陈国荣
功能材料
单有机材料PAR的薄膜在三明治结构中,在电场作用下有电双稳性质.利用这一性质,在STM针尖强电场作用下, PAR可形成纳米尺寸的导电的库仑岛,从而通过电流-电压特性的测量,在室温下观察到了库仑阻塞现象.估算了库仑岛的尺寸和所形成的双势垒隧道结构的参数,理论计算与实验结果相一致,本研究结果提供了一种新的室温单电子晶体管的设计思路.
关键词:
PAR
,
STM
,
库仑阻塞
,
室温单电子晶体管
