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新型紫外光源研制成功

江风益 , 熊传兵 , 彭学新 , 王立 , 李述体 , 姚冬敏 , 莫春兰 , 李鹏 , 周毛兴 , 周力 , 吴蔚登 , 刘和初

材料导报

关键词:

Si衬底GaN基LED理想因子的研究

刘卫华 , 李有群 , 方文卿 , 周毛兴 , 刘和初 , 莫春兰 , 王立 , 江风益

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.011

首次报道Si衬底GaN LED的理想因子.通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec.蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec.硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行.

关键词: Si衬底 , GaN , LED , 理想因子

掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响

李述体 , 莫春兰 , 李鹏 , 王立 , 熊传兵 , 彭学新 , 江风益

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.022

对MOCVD生长GaN:Si薄膜进行了研究,研究表明随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si单晶膜的电子浓度增大,迁移率下降,X射线双晶衍射峰半高宽增加,同时带边发射强度得到了大大的提高,并报导了随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si的生长速率降低的现象.研究结果还表明,预反应对GaN:Si单晶膜黄带发射影响很大,预反应的减小可以使黄带受到抑制.

关键词: MOCVD , GaN:Si , 光致发光

基于详细化学反应机理的DME发动机三维湍流燃烧模拟

莫春兰 , 张煜盛 , 张辉亚 , 徐波

工程热物理学报

采用基于详细化学反应机理的三维湍流燃烧数值模拟,研究直喷柴油机燃用二甲基醚(DME)的伴有化学反应的流动燃烧现象.模拟预测的缸内压力随曲轴转角的变化及NO排放浓度与实验相符.分析了计算所得的曲轴转角随缸内流场速度、温度和组分浓度的分布历程,结果表明甲醛在低中温下相对稳定,随着温度的升高,氧化反应加速进行,而由于流动及壁面传热等效应,甲醛作为不完全燃烧产物存在于排气中.

关键词: 二甲基醚 , 详细化学反应机理 , 燃烧 , 排放物生成

未掺杂GaN外延膜的结晶特性与蓝带发光关系的研究

李述体 , 江风益 , 范广涵 , 王立 , 莫春兰 , 方文卿

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.03.017

采用卢瑟福背散射/沟道技术,X射线双晶衍射技术和光致发光技术对几个以MOCVD技术生长的蓝带发光差异明显的未掺杂GaN外延膜和GaN:Mg外延膜进行了测试.结果表明,未掺杂GaN薄膜中出现的2.9 eV左右的蓝带发光与薄膜的结晶品质密切相关.随未掺杂GaN的蓝带强度与带边强度之比增大,GaN的卢瑟福背散射/沟道谱最低产额增大,X射线双晶衍射峰半高宽增大.未掺杂GaN薄膜的蓝带发光与薄膜中的某种本征缺陷有关.研究还表明,未掺杂GaN中出现的蓝带与GaN:Mg外延膜中出现的2.9 eV左右的发光峰的发光机理不同.

关键词: 薄膜光学 , GaN , 卢瑟福背散射/沟道 , X射线双晶衍射 , 光致发光

硅衬底GaN基LED的研究进展

莫春兰 , 方文卿 , 王立 , 刘和初 , 周毛兴 , 江风益

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.05.013

与蓝宝石衬底相比,硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点,普遍认为使用Si片作GaN薄膜衬底有可能实现光电子和微电子的集成,因此Si基GaN的研究受到了广泛关注.本文回顾了Si衬底GaN基LED的研究进展, 同时简要介绍了在Si衬底上制备GaN基LED的实验结果,及研制出工作电压为3.6 V、串联电阻为31 Ω、输出功率近1 mW的Si衬底GaN基蓝光LED.

关键词: 发光二极管 , GaN , Si衬底