阳明明
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莫亚娟
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王晓丹
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曾雄辉
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刘雪华
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黄俊
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张纪才
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王建峰
,
徐科
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150399
以透射电镜中的弱束衍衬成像和高分辨相位衬度成像为主要表征手段,辅以X射线衍射、拉曼光谱等测试方法,对AlN:Er样品在退火过程中的微观结构演变过程进行了深入分析.在透射电镜观察下,Er离子注入的AlN样品在退火前存在三个区域:区域Ⅰ为自表面以下约30 nm深度;区域Ⅱ为区域I以下约50 nm深度;区域Ⅲ为区域Ⅱ以下的部分,其中区域Ⅱ为损伤最为严重的区域.在较低的温度(如1025℃时)退火后,区域Ⅰ消失;但1200℃退火后,又重新可以观察到区域Ⅰ.结合TEM、XRD和Raman测试结果,从损伤恢复和应力释放的角度对上述实验现象进行了理论解释:由于Er离子半径和基体原子半径的差异,在区域Ⅱ中引入较大的应力;在1025℃退火时,来自区域Ⅱ的应力作用于区域Ⅰ,导致区域Ⅰ发生大的晶格扭曲,和区域Ⅱ合并,用TEM观察不到;在1200℃退火时,应力在表面释放,区域Ⅰ的晶格扭曲修复,从而用TEM可重新观察到.
关键词:
AlN:Er
,
离子注入
,
微观结构演变
莫亚娟
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王晓丹
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曾雄辉
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高崴崴
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王建峰
,
徐科
人工晶体学报
采用离子注入方法制备了一系列不同Er离子剂量的GaN薄膜,并在不同温度、不同气氛下进行了退火处理.深入研究了退火温度和退火气氛对阴极荧光谱的影响机制和阴极荧光中的发光猝灭现象,获得了优化的退火条件.结果表明,当Er离子注入剂量达到1×1015cm-2时,Er离子的发光强度最高;当Er离子注入剂量达到5×1015cm-2时,出现发光猝灭现象.
关键词:
GaN薄膜
,
离子注入
,
阴极荧光谱
高崴崴
,
王晓丹
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韩佰祥
,
莫亚娟
,
曾雄辉
,
徐科
人工晶体学报
采用溶液化学方法制备了Er3+掺杂浓度为lat％的Er∶GaN微纳米晶材料.对退火前后材料的结构、形貌和发光性能进行了表征.结果表明:Er∶ GaN微纳米晶样品为纯的六方GaN相.退火后出现晶粒长大现象,且氧含量降低,微纳米晶的结晶质量变好.退火处理后出现了Er3+相关的524 nm和547 nm的绿光峰,660 nm的红光峰.在980 nm激发下,在Yb,Er∶GaN微纳米晶样品中实现了上转换荧光发射,并观察到了和Er∶ GaN微纳米晶相同的发光峰.
关键词:
Er∶GaN
,
微纳米晶
,
发光性能
